聊聊电流镜(下)

charle_song

hongmy 发表于 2017-6-9 09:55
写得很好的总结。感谢楼主又让我复习了一遍。
因为我在实际芯片中经常有使用楼主重点研究的这种self cascod ...

上面cascode很难调到工作在亚阈值区的吧，二极管接法无论如何也是工作在饱和区的呀

hongmy

charle_song 发表于 2020-3-27 11:43
上面cascode很难调到工作在亚阈值区的吧，二极管接法无论如何也是工作在饱和区的呀
...

饱和区和亚阈值区是两个概念，亚阈值区也同样分为饱和区和线性区，一般以Vds=4VT为界限， VT=kT/q。和亚阈值概念对应的应该是强反型、中等反型、弱反型。粗略点说，反型这个说法区分的是vgs，饱和否区分的是vds。更详细的请查相关资料吧。

czg

666666666

mmm906

thanks

swallow8666

131v1vv 发表于 2017-6-9 19:38
回复 21# wandola

同求，增加电流镜的mismatch讨论

DDBKOBE

很不错 学习了

xianwu_hs

写得很好，赞

juliansky

hongmy 发表于 2017-6-9 09:55
写得很好的总结。感谢楼主又让我复习了一遍。
因为我在实际芯片中经常有使用楼主重点研究的这种self cascod ...

主贴总结得很好，层主页回复得用心，有些疑问也想探讨下：
  1） 关于楼主提及的输入阻抗的问题，我觉得不应该是rds+1/gm，仍是是1/gm；
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我觉得两种表达形式应当是等效的，1/gm中的gm是复合管的等效gm，rds+1/gm是rds1+1/gm2；

4）具体到这种self bias cascode CM，我认为设计上应该使得四个管子都工作在饱和区（包括亚阈值），方法就是，下面的管子采取倒比管，上面的管子采取大的W/L。串联管中，粗略等效，等效成一个管子的话，L是相加的，因此总体来说，等效管子也是倒比管， 这样总的等效管子是工作在强反型的饱和区的，而且由于是倒比管，总等效管子的Vgs=vth+vdsat。而对于上面的管子来说，因为大w/l，使得管子被偏置在亚阈值区，vgs<=vth，所以下面管子的大致是等效管子的vdsat(随具体设计)而工作在饱和区。
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这种处理方式的话和直接一个大的倒比单管是等效的吧，如果是的话为什么不直接用一个单管呢？

javasun

学习学习

783800290

juliansky 发表于 2021-6-20 11:33
主贴总结得很好，层主页回复得用心，有些疑问也想探讨下：
  1） 关于楼主提及的输入阻抗的问题，我觉得 ...

1） 关于楼主提及的输入阻抗的问题，我觉得不应该是rds+1/gm，仍是是1/gm；
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我觉得两种表达形式应当是等效的，1/gm中的gm是复合管的等效gm，rds+1/gm是rds1+1/gm2；
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没有的，就是1/gm。表达形式不等效，不是rds1+1/gm2；

4）具体到这种self bias cascode CM，我认为设计上应该使得四个管子都工作在饱和区（包括亚阈值），方法就是，下面的管子采取倒比管，上面的管子采取大的W/L。串联管中，粗略等效，等效成一个管子的话，L是相加的，因此总体来说，等效管子也是倒比管， 这样总的等效管子是工作在强反型的饱和区的，而且由于是倒比管，总等效管子的Vgs=vth+vdsat。而对于上面的管子来说，因为大w/l，使得管子被偏置在亚阈值区，vgs<=vth，所以下面管子的大致是等效管子的vdsat(随具体设计)而工作在饱和区。
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这种处理方式的话和直接一个大的倒比单管是等效的吧，如果是的话为什么不直接用一个单管呢？
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可能是文字排版问题，你会错意了。他中间只是突兀地举了个串联管例子，不是说直接一个大的倒比单管。