关于管子的mismatch是否跟finger有关的问题

没人我来顶 · 发表于 2017-2-19 17:21:09

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就是说相同的面积，一种是直接一个管子宽w长l，一种是n个finger，宽w/n长l，他们的电学mismatch比如漏电流的mismatch一样吗
我先说一下我的结论，通过仿mc我同时仿真三种管子，一种是finger4，12.5/1的一种multipe4，12.5/1的，一种直接是50/1的，抛去窄沟道效应之类的，跑出来的mc基本上都是一个大小

而我看附件的文献，他在最后说到，mismatch会下降根号n倍，他是根据这个公式推出来的，其中e是电学参数，比如Id，Vgs等，p是w，l，迁移率，tox等工艺参数。

麻烦各位大佬稍微看一下，是我的电路仿真有问题还是说paper有问题

Understanding MOSFET Mismatch for Analog Desin.pdf (606.99 KB, 下载次数: 225 )

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没人我来顶 · 发表于 2017-2-19 17:30:22

40nm工艺umc

jackiexiuyi · 发表于 2017-2-19 20:01:06

电路图里面的第一种和第二种应该layout上面的画法是一样的吧
前仿真应该看不出来什么差别，除非你把SA／SB设置出来
我感觉这种mismatch应该仿真看不出来，想法不一定对

AcoAco · 发表于 2017-2-19 22:54:25

Spice不能模拟布局不匹配。
CMOS晶体管的栅极是否浮在电路中？

david_reg · 发表于 2017-2-20 10:26:09

回复 1# 没人我来顶
在一阶近似下，mismatch近似只与器件总面积有关，目前大多数的spice lib的mc模型中有关mismatch的计算表达式只包含一阶近似，因此只要三种结构的总面积一样的话，仿真结果基本上不会有太大的差异。论文中提到的影响mismatch的其它高阶效应目前基本上还没有被包含在spice 模型库里面。

没人我来顶 · 发表于 2017-2-20 12:06:30

回复 4# AcoAco

恩恩，我后来发现了栅没加偏置，但是加偏置后跑mc结果还是一样的

kwankwaner · 发表于 2017-2-20 12:33:38

回复 1# 没人我来顶

只说仿真，相同面积下finger越多匹配越差，因为effW=W-dw，所以你看上去面积一样实际上一个finger的dw只减一次，多个finger的要减多次，finger是减小了，忽略减少的w对其他电学特性的影响，那么mc只和面积相关

没人我来顶 · 发表于 2017-2-20 13:18:22

回复 5# david_reg

老师说的倒是很有道理，就是mc跑的跟实际可能不一样，但是论文中也没提到什么二阶效应，
是这样的，我今天按他的公式又推了一边，发现并没有跟finger有关系

没人我来顶 · 发表于 2017-2-20 13:29:52

回复 7# kwankwaner

那为什么我仿真出来的时候多个finger的电流比一个finger的电流大的呢？不说mismatch，按照老师的理论，一个finger的有效w减的少，电流应该大，我仿出来结论相反

没人我来顶 · 发表于 2017-2-20 13:50:32

回复 7# kwankwaner

老师你好，根据你的理论，finger少的有效w越大，这个跟mismatch没什么关系吧，而且实际仿真来看，finger多的电流相对大

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