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[求助] LNA工艺角仿真时,噪声系数variation较大,怎么优化?

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发表于 2016-10-31 13:56:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求助版主大牛;
    本人是射频菜鸟,目前在做2.4G的窄带LNA,工艺角仿真时噪声系数variation变化较大2.2dB左右,主要是SS(125)工艺角下噪声系数恶化比较严重,尝试用PTAT电流优化温度变化引起的variation,但PTAT电流本身在SS工艺角下,电流下降比较大,相比理想电流源时更差了,仿真结果显示,片内输入电感对variation的影响比较大,但减小电感会对输入匹配影响比较大,不知道如何取舍
请问各位做过2.4G LNA的,一般噪声系数variation要求是多少?如何优化MOS管本身导致的variation?温度变化引起的噪声系数变化如何优化?
 楼主| 发表于 2016-10-31 15:07:45 | 显示全部楼层
自己顶一下,求各位大牛指点迷津啊
发表于 2016-10-31 17:51:50 | 显示全部楼层
Thank you..................
发表于 2016-10-31 17:52:48 | 显示全部楼层
zai ci gan xie........................
 楼主| 发表于 2016-10-31 19:09:05 | 显示全部楼层
回复 4# vioryee


    啥情况?
发表于 2016-11-2 19:44:06 | 显示全部楼层
同问,variation太大
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