请问什么是PSE什么是OSE

213kkw · 发表于 2016-9-26 19:16:54

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查到PSE是poly spacing effectsOSE是Oxide Spacing effects
但是依然不是很理解具体是怎样的效应
不知道有没有高手可以帮我讲解一下具体是怎样的情况

楚卓清 · 发表于 2016-9-27 08:45:59

PSE、OSE 包括WPE 都可以理解为边缘器件的参数mismatch，一组器件放在一起，边缘器件的参数和性能相比中间器件会差很多，解决办法就是边缘添加dummy。

213kkw · 发表于 2016-9-27 14:33:45

回复 2# 楚卓清

能不能具体讲一下是什么原理呢？谢谢

楚卓清 · 发表于 2016-9-27 15:02:17

回复 3# 213kkw

如图中所示，Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE，65nm以下工艺，A和B参数差别会很大，加C作为DUMMY之后，B
和A周围POLY环境基本一致，参数也会较为接近。OSE原理也相近。
其实可以理解为扩散、注入等过程中，边缘浓度与中间会有很大的差别，所以需要周围加足够多的dummy，加的越多，中间器件的差别自然越小。

zw5823035 · 发表于 2016-9-28 16:57:13

可以看下tsmc45nm的设计规则，讲的很详细。慢慢看去吧。

东北汉子 · 发表于 2016-9-28 21:14:44

design rule 都有

古月小君 · 发表于 2019-5-24 18:30:49

谢谢，终于明白了

fangwang85 · 发表于 2019-5-27 13:54:36

楚卓清发表于 2016-9-27 15:02
回复 3# 213kkw

受教了，谢谢

大佬 · 发表于 2019-11-20 13:40:51

zw5823035 发表于 2016-9-28 16:57
可以看下tsmc45nm的设计规则，讲的很详细。慢慢看去吧。

朋友，可以分享下45nm的rule么？

GhostHunter · 发表于 2019-11-21 16:58:50

STI会对Device产生应力，应力会对载流子迁移率产生影响，在临近Well边缘和在中心时受到的应力不同，越远离边缘受到的影响越小，另外在注入时边缘浓度会与中心不同，导致Device Property Mismatch，所以要在周围添加Dummy

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