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查看: 5565|回复: 5

[求助] 高压启动电路请教

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发表于 2016-9-5 17:52:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟最近做一个flyback AC-DC电路,需要使用高压启动,参考了之前的一个设计,但是现在用的工艺库中缺少了高压BJT器件(做二极管使用),所以打算用高压40V的PMOS替换掉,原理图如下(左图原电路,右图pmos替换掉图中hvbjt),不知道这样做会不会有不良的影响产生,之前没有接触过相关的资料,还望知道的大神赐教,大概原理图如下:其中使用了高压 FET做主开关管, 正常启动完成后JFET有一个很小的漏电流uA级别,由A点另一条支路流向地,A点电压约30V,mp1为40V高压管,充电启动完成后基本完全关断,很小的漏电流,原电路使用一个hvbjt做寄生二极管,防止VDD充到30V以上时,导致mp1寄生二极管导通。产生反向电流,由于使用的工艺没有hvbjt,所以想用40V的mp来代替hvbjt,不知道这种接法实际中会不会出现问题,相当于利用了高压pmos的寄生体二极管做反向隔离,高压pmos的栅极可耐高压70V,如果还有其他未考虑到情况,还望赐教!
HV_start.png
发表于 2016-9-5 18:14:00 | 显示全部楼层
可以的,使用iso 的hvpmos,离远一点,当心latchup。
具体怎么做要看具体工艺。
发表于 2016-9-5 19:16:32 | 显示全部楼层
PMOS用的NBL或者DNW吧?否则充电的时候可能会形成寄生PNP,一部分电流入地
 楼主| 发表于 2016-9-5 21:59:21 | 显示全部楼层
回复 2# yyyaaayyh


    好的,谢谢啦
 楼主| 发表于 2016-9-5 22:00:32 | 显示全部楼层
回复 3# math123


    好的,多谢啦
发表于 2020-7-8 09:23:09 | 显示全部楼层
高压器件的各个端口和低压器件有什么区别呀
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