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[资料] 耗尽型MOSFET应用于开关电源启动电路

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发表于 2016-7-22 14:59:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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耗尽型MOSFET应用于开关电源启动电路

常用的反激式开关电源中,由变压器附加绕组给PWM控制IC供电,在电路启动阶段,由于附加绕组还没有电压输出,因此不能给控制IC提供最初的电源,这时就需要启动电路来对控制IC提供电源。

1.电阻式启动电路

传统的启动电路是采用功率电阻和稳压二极管共同组成。这种电阻式的启动电路,由于电阻持续地消耗较大功率,大幅增加了系统功率损耗,在系统处于待机状态时尤为突出。

2.耗尽型MOSFET应用于启动电路

用耗尽型MOSFET组成启动电路来给PWM控制IC供电,能大大降低系统功耗,特别是待机功耗。耗尽型MOS管为常开器件,当栅-源电压VGS = 0V时,器件的沟道处于自然开通状态。将耗尽型功率MOSFET应用于启动电路中,在PWM控制IC启动后,由附加绕组对IC提供电源,此时耗尽型MOS管处于关断状态,几乎没有功率损耗。因此显著降低系统功耗,尤其是待机功耗。

2.1通用PWM IC启动电路

耗尽型MOSFET加串联电阻作为PWM IC的启动电路是比较简单且成本较为低廉的方法。如图1所示,耗尽型MOSFET Q2的源极与电阻R2串联构成启动电路。开关电源启动时,由于Q2处于导通状态,电流经Q2C2充电,C2电压持续升高,直至PWM IC开始工作。开关电源启动后,PWM IC由附加绕组供电,由于Q2的栅-源之间的电压VGS大于Q2的关断电压VGS(OFF),因此Q2处于关断状态,同时R2阻值很大,因此启动电路几乎没有功率损耗。

图片5.png

                              

1. 耗尽型MOSFET用于常见的开关电源启动电路

2.2 有源控制启动电路

如图2所示,IW1699作为主控IC,其ASUActive Start-Up)引脚,能控制耗尽型MOSFET Q1的关断。电路启动时,由Q1IW1699供电。电路启动后,由附加绕组对IW1699提供电源,此时ASUQ1的栅极下拉至低电平,使Q1-源电压VGS大于关断电压VGS(OFF),此时启动电路无电流通过,无功率损耗。

图片6.png

2. 耗尽型MOSFET应用于iwatt1699启动电路

然而,很多控制IC不具有IW1699那样的ASU引脚,因此需要添加外部器件来实现类似的功能,如图3所示。

图片7.png

3. 耗尽型MOSFET用于PWM芯片启动电路


电路启动后,Q3导通,使得Q2的栅极处于低电位,Q2关断,启动电路无功率损耗。

成都方舟微电子有限公司提供的DMZ6005E等型号高压耗尽型MOSFET,是应用于启动电路最理想的器件。DMZ6005E击穿电压BVDSS超过600V,可以在极宽的输入电压范围内正常工作,并且器件采用SOT-23封装,产品体积小,适于表面贴装。

发表于 2016-7-24 17:45:12 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-7-28 09:24:43 | 显示全部楼层
學習了
发表于 2016-7-28 10:02:00 | 显示全部楼层
受教了。
感恩
发表于 2016-7-31 20:54:28 | 显示全部楼层
學習了
发表于 2016-8-1 10:47:08 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-8-1 10:50:57 | 显示全部楼层
回复 1# WatsonZ


   

一般uhv start up 很多都内建
并且包成sop7方式
有的会连外面
gatemos包起来
.




发表于 2016-8-2 14:57:10 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-8-5 11:34:37 | 显示全部楼层
学习了,谢谢分享
发表于 2016-8-5 16:43:00 | 显示全部楼层
学习了
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