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查看: 4491|回复: 10

[求助] 肖特基为何要加p+环?

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发表于 2016-5-20 15:58:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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肖特基为何要加p+环?肖特基是金属与NW的组成,为何要在阱里加P+环?
 楼主| 发表于 2016-5-23 14:51:09 | 显示全部楼层
?????????????????
 楼主| 发表于 2016-5-24 08:38:25 | 显示全部楼层
????????????????
发表于 2017-7-21 18:15:24 | 显示全部楼层




一说降低漏电

    一种高反压肖特基二极管制造工艺 CN 104103513 A   


不过这patent 好像垂直的 肖特基说提高耐压到 150~200v


RF+CMOS工艺肖特基二极管特性及建模应用研究
发表于 2017-7-21 18:15:55 | 显示全部楼层


????????????????
jimipage 发表于 2016-5-24 08:38




    HERE
http://bbs.eetop.cn/thread-604089-1-1.html
发表于 2019-7-28 20:51:57 | 显示全部楼层
主要为了防止电场在metal edge的集边效应, 不加的话反向击穿电压会fail
发表于 2019-8-29 16:34:30 | 显示全部楼层
主要为了防止电场在metal edge的集边效应, 不加的话反向击穿电压会fail
发表于 2019-9-18 11:09:00 | 显示全部楼层
感谢前辈分享layout心得,我常来学习哈!
发表于 2020-10-12 14:53:52 | 显示全部楼层
是终端吧,可以提高耐压
发表于 2020-10-12 16:10:02 | 显示全部楼层
加P+环为了提高击穿电压,缓解终端耗尽区尖端电场集中的问题,P+圆心位置一般在势垒边缘
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