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[资料] 0.18 RF 工藝版圖設計技巧 by 河馬

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发表于 2016-2-17 22:49:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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0.18 RF 工藝版圖設計技巧
by河馬


繪製版圖前,格點統一到0.005um,不在萬不得已的情況下除了連接線都以pcell的形式提交你繪製的版圖,禁止flatten. 模組儘量方形或長方形,不要太狹長。互相借鑒,統一到最好的風格。


類比部分:

1:不要像以前那樣為了省面積,把同源或同漏的無關的兩個管子的源或漏迭起來。finger的除外。

2:同一個地方往上打via, via儘量從同一處直線往上疊加,不要錯開。注意別遺漏某層via,否則查起來會比較難。

3: MET1除了連接有源區和poly,儘量不要走線,儘量用MET2MET3走線,MET2豎為主橫為輔,MET3儘量只走橫。MET4MET5少量使用,主要到最後走VDD,VSSMET6主要用於電感電容和RF的走線。

4:相鄰層次的MET交迭區域在可變動的情況下越小越好。

5MET1禁止從gate和電阻上跨過。MET2最好也不要跨。

6:信號連接點在各支路的匯合位置。

7:源和襯底相連的儘量不用MET1直接連。兩個的接點其實遠點對雜訊的干擾小。

8MIM電容選擇性地可以加在一些不敏感的電路上以節省面積。差分對管上禁止蓋MIM電容。

9:大的功能模組間要做多圈隔離。(如:VSS-VDD-VSS

10:不要把面積問題放在首位,首先要考慮性能。但是要匹配的電路或器件,如電流鏡和輸入對管等距離越近越好。

11:需要在不同PWELLN管可以公用一個DNW,用NWELL隔離成小格子。


RF部分:


1:模組的輸入和輸出必須用 MET6走線,佈線儘量用MET5,MET4.再往下最好別走線。

2MIM電容下,RF電阻上不要有任何其他東西

3:走線就近原則 ,兩點之間的連線不要捨近求遠,儘量選取最短路徑。走線以水準、垂直以及45度斜線為主。

4:相同的電路畫一份然後拷貝,做到走線方式,長度,位置都完全一樣。

5:有些電容和電阻可以合併在一個DNW裡,畫前仔細推敲,以便讓相關器件靠得儘量近,也節省了面積。

6:信號流走線禁止拐直角。連線由粗到細不能有突變的情況,一般要漸變。

7:信號流走線的粗細請諮詢相關人員,理論上電容的連線越細越好(寄生電容最小),電阻的走線越粗越好(寄生電阻最小)。

8:信號流走線跨Metal,Via要足夠多,不光考慮連接問題,還要注意Via的寄生電阻儘量小。

9:電感周圍50um區域不要有任何無關的走線或器件。

10:高頻信號需要用Shield Path遮罩。

11Seal RingGuard Ring以及Shield Path請連接到VSS,需要通過目檢來檢查是否連接。


數位部分:

1:若最高層次為Thick Metal N,則數字佈局佈線使用的Metal最高只能用到Metal N-2

2:數位部分需要和其他模組之間作足夠的隔離。

3:數位自動佈線使用的區域內,若數位佈局佈線使用的MetalMetal N,則區域內手工佈線的Metal禁止使用Metal N(含)以下的Metal

4:天線效應修改優先考慮使用高層Metal跳線,高層的Metal線儘量短小,且靠近poly柵的近端。

发表于 2016-2-18 09:56:17 | 显示全部楼层
感谢!
发表于 2016-2-19 10:06:40 | 显示全部楼层
感謝您
发表于 2016-2-19 20:27:40 | 显示全部楼层
感謝!!!!
发表于 2016-3-3 15:24:18 | 显示全部楼层
感谢!
发表于 2016-3-12 12:29:47 | 显示全部楼层
谢谢,大师指教!
发表于 2016-3-14 13:39:19 | 显示全部楼层
很好的资料
发表于 2016-3-26 16:28:51 | 显示全部楼层
thanks for sharing
发表于 2016-3-29 00:02:53 | 显示全部楼层
thanks for your sharing!
发表于 2016-4-17 00:02:08 | 显示全部楼层
感谢分享!
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