请问3.3v电源下，如何只用2.5v的MOS管实现LDO，管子不被击穿

lvwei_1024 · 发表于 2015-11-3 21:09:32

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因为系统给的电源电压是3.3v，但是我们采用的工艺只有2.5v的MOS管，所以需要一个LDO将3.3v降低到2.5v，但是MOS管的耐压只有2.5v，请问各位大神如何实现，而不会击穿2.5v的管子。小弟真心求教，不胜感激

michang5342 · 发表于 2015-11-4 11:02:28

回复 1# lvwei_1024

楼主只要加上一些clamping 电路确定MOS 的Vgs, Vgd, Vgs 等跨压不会超过MOS的耐压极限就可以了。
还有，要小心startup 时跨压也不能超过极限电压...

wf_cas · 发表于 2015-11-4 12:31:17

用cascode串联扛压

bright_pan · 发表于 2015-11-4 14:29:00

最简单的你就正常设计，先不考虑高压问题，然后在看具体什么情况哪一个节点会有高压？应该EA,输出级都不会有高压问题，唯一有高压问题的就是PD/EN控制信号这里，另外一半MOS管Drain可以承受高压的，只要将Drain的silicide区域拉开沟道一点就可以了。

qerqing · 发表于 2015-11-4 15:34:55

首先要保证正常工作时，每个管子的四端的电压差不要超出2.5，瞬态时最好也不要出现某些器件长时间over volatage，小心设计就好，我们之前电路有个bandgap用的3.3v的管子，电源电压是5v

lvwei_1024 · 发表于 2015-11-4 21:25:05

回复 2# michang5342

谢谢兄弟的建议，回头明天我试试，就是加上二极管，强制让那些超过2.5v的地方钳位到0.7v左右吧？

lvwei_1024 · 发表于 2015-11-4 21:26:24

回复 3# wf_cas

这个方法不错，就是启动电路部分不知道怎么搞？也需要串联管子吗？

lvwei_1024 · 发表于 2015-11-4 21:29:08

回复 4# bright_pan

兄弟你说的“另外一半MOS管Drain可以承受高压的，只要将Drain的silicide区域拉开沟道一点就可以了”这句不大明白啊，能详细说说吗？小弟在此谢过。

lvwei_1024 · 发表于 2015-11-4 21:30:39

回复 5# qerqing

版主大人，启动电路部分如果有些超出了2.5v的情况，怎么解决呀？谢谢啦

bright_pan · 发表于 2015-11-5 09:12:16

你可以理解为layout上drain的位置比一般的位置离gate远一点。

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