網路上iphone6 chip

andy2000a

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根据恩智浦的 NFC 控制器记录，以及泄露的 iPhone 6 主板图片，由此猜测苹果采用的 NFC 控制器是恩智浦的 PN544，或者是其衍生产品。普遍认为，苹果总有一天会开放 NFC 的功能，不仅仅用于 Apple Pay。由此也可猜测，苹果可能采用的是标准的 NFC 控制器，而非定制的型号。

                               
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　　如今解剖主板发现 65V10 的装置，由此可以肯定，苹果采用的 NFC 控制器型号为 PN548，是 PN544 和 PN547 的变种。行内人识别出，这是恩智浦为苹果稍作修改设计的芯片。如果这是真的，那苹果拿到这块芯片至少有 18 个月了。因为根据芯片上的标记看到，芯片设计定稿日期是在 2012 年。事实上，PN548 芯片上的模具标记只是跟 PN 547 略微不同。

　　NXP NXP

　　2012 2012

　　7PN547V0B 7PN548V0C

　　有趣的是，PN548 第二层模具称为“008”，模具封装的标记是 2013 年的。但是在 PN547 上没有看到这样的封装。008 模具上方有一些神秘的密集金属层。这是不是 NFC 芯片的安全元素装置？时间会告诉我们。

　iPhone 6 Plus 另一个令人不高兴的地方是加速计和陀螺仪。传统上，苹果是用意法半导体的芯片，但是这次用了 InvenSense 公司的。新的加速计和陀螺仪的零件号是 MP67B。根据 InvenSense 公司的网站，MPU 系列的均是与独立指南针和 APU 接口的 6 轴装置。

　　指南针

下面到大家最关注的 A8 芯片了。苹果表示，A8 芯片内置 20 亿个晶体管（是A7的两倍），采用了 TSMC 的 20纳米制程。大小有 89mm²，比 A7 小 13%（A7 是 102 mm²）。A8 在 cpu 处理速度提升 25%，图形显示速度提升 50%。如果跟第一代 iPhone 相比，CPU 速度超出其 50 倍，图形显示速度超出 84 倍。在能源效率方面，A8 比 A7 提升 50%，希望这是大屏 iPhone 能够控制耗电的好兆头。　　我们看到的是 PoP 封装的内存部分，实际的 A8 芯片藏在底下。封装的标记透露出以下信息：一，苹果改变了惯用的零件编号，通常是“98”为后缀，比如 A4 编号 APL0398，A5 是 APL0498，到现在 A8 是 APL 1011；另外，顶端部分的 DRAM 仅 1GB，相比之下，其他手机至少有 3GBA8 封装底部的标记跟正面的不同。日期代码是 1434，意味着这一芯片从封装工厂运往富士康代工厂，再摆上零售店货架，历时仅 6 周。

　　A8 延续了从 A7 开始的三排焊接球，以前只有两排，因为芯片的图形处理能力增强了，产生的热量也越多，所以要采用这样的设计。顶层封装的存储器没有改变。

                               
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A8 模具尺寸 8.5mm x 10.5mm = 89.25mm²。目前还没能百分百证明这是由台积电代工的。截面图表明，有 10 层金属堆栈。
10 metal layer

接触点的间距小于 90纳米，跟高通的 MDM9235 相符，他们的 20 纳米制程的芯片就是由台积电代工的。接触点的间距是测量一台设备芯片制造工艺节点，由此得出这一芯片是采用什么制程的制造工艺。

                               
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高通的 Qualcomm QFE1100 envelope tracking DC-DC regulator，在今年的很多手机也有发现了，仅今年就有超过 16 款手机采用这种芯片，三星 Galaxy 系列也在用。

                               
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