关于gm/ID,以及反型区的解释，感觉分析最清楚comer的文章

zhenglibin86 · 发表于 2014-5-11 07:45:55

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[2004]-comer_Operation of analog MOS circuits in the weak or moderate inversion region.pdf (152.68 KB, 下载次数: 819 )

另外想问下模拟电路中的设计方法是否可以应用到射频电路中呢？
比如omp的设计方法以及晶体管反型区的选择是否在射频电路VCO或者PA中应用呢？

markhorrow · 发表于 2014-5-11 14:51:54

非常感谢提供！

zhenglibin86 · 发表于 2014-5-11 17:14:24

回复 2# markhorrow

不客气。

yuynahong · 发表于 2014-5-11 20:49:19

感谢楼主

parientfish · 发表于 2014-5-12 08:49:06

非常感谢

skymid · 发表于 2014-5-12 08:52:01

模拟电路和射频电路有相同的地方，但是其实设计思路很不相同，射频电路更加复杂，阻抗匹配什么的，我觉得gm/id表上的信息对于射频电路来说远远不够，没有给出cgd，cgs等寄生电容的大小，在高频时这些参数肯定都是得考虑的

shuming221 · 发表于 2014-5-12 09:23:18

感謝大大的分享

vincent_long · 发表于 2014-5-12 13:31:32

谢谢楼主，先学习了

zhenglibin86 · 发表于 2014-5-12 13:42:03

回复 6# skymid

谢谢您的回复。

zhenglibin86 · 发表于 2014-5-12 13:43:10

回复 1# zhenglibin86

[资料] 关于gm/ID,以及反型区的解释，感觉分析最清楚comer的文章