可用串口配置的SDRAM控制器，附实现工程、源码和仿真~~

mlqc · 发表于 2014-3-1 10:18:22

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自己写的SDRAM控制器，用的是黑金的DB2C5开发板，Hynix的SDRAM（HY57V641620ET-H），不过仿真时用了一个Micron的SDRAM（mt48lc1m16a1）仿真模型，代码编辑器用的gvim。配置模块用了标准的UART协议进行SDRAM数据、地址和命令的控制，用这个的朋友可以从串口助手向FPGA写入你想要的地址和命令，然后送到SDRAM。因为开发板上也只能用串口和PC连接，串口模块也是很久以前写的了，懒得改所以导致配置过程稍麻烦，用的时候需要耐心一点。仿真的话直接运行/sim/目录下的批处理文件就行了，当然你要先确认你的仿真器环境变量设置正确而且file list中的库文件目录和你的安装目录吻合。
顺便有一个问题需要请教一下：我做实验是设置的模式是CL=3，而且仿真时没有问题，时序一切正常，但是用Signal TAP抓信号的时候发现SDRAM的tAC参数远大于DataSheet上的标准，这就导致我在读SDRAM时必须晚一个是时钟从数据线DQ上采数。也就是说我设置CL=3以后，仿真模型是正常的，但是板上的Hynix片子出数要晚一个周期，Hynix的datasheet比较坑，我到现在也没找到原因，不知道哪位用过这两款芯片的能给解释一下，我觉得不应该是它们的参数意义不同。
欢迎大家积极交流，第一次分享自己写的东西，求支持~~~ sdram_ctrl.rar (5.89 MB, 下载次数: 167 )

2014-3-1 10:17 上传
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mlqc · 发表于 2014-3-1 22:29:00

发现了一个很严重的问题：
我的这个demo里配置数据时的过程是这样，发送映射地址（同时使能信号置有效）→向寄存器写数据→发送映射地址（同时使能信号置无效），配置其他数据的步骤都是重复这三个操作，今天发现第二个步骤中的数据如果和前一个步骤中的映射地址相同，那么第一个步骤中写入的数据会被第二个步骤修改，但是我的tb中恰巧没有仿出这种状况，这个是会出错的！！！
等我修改以后会更新附件！！哪位用过的同学有更好的方法希望可以留言。

lifeng666999 · 发表于 2015-9-10 12:12:35

顶一个，正在学习中

FPGA-WUHAN · 发表于 2015-12-31 15:14:53

正在学习中

hxmhxl · 发表于 2016-3-27 22:51:20

文件挺大的，应是完整的工程。

mbgcs · 发表于 2018-9-4 01:27:40

学习 upup

reptilian99 · 发表于 2018-9-4 02:22:01

interesting

reptilian99 · 发表于 2018-9-4 02:23:40

thank you

gongchengshi · 发表于 2020-2-14 20:34:57

学习学习

jw__liu · 发表于 2020-12-19 09:20:06

很好的资料

[原创] 可用串口配置的SDRAM控制器，附实现工程、源码和仿真~~

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