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楼主: topic

90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿?

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发表于 2008-9-13 09:28:39 | 显示全部楼层
(1)低电源电压,导致很多电路必需采用high swing结构;
(2)大的漏电流,导致power down电路的设计难度加大;
(3)小的Lenth会导致打得offset,所以在设计的时候器件的最小lenth选择上也要注意;
发表于 2008-9-28 02:22:24 | 显示全部楼层
gate capacitor
发表于 2008-9-28 09:59:04 | 显示全部楼层
深亚微米的模拟设计还是大有挑战阿
发表于 2010-12-14 13:10:41 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2010-12-14 14:17:16 | 显示全部楼层
学习了,我只知道leakage很重要,现在一直在看有关power-domain方面的资料,不好找呀。
发表于 2017-2-21 16:43:36 | 显示全部楼层
发表于 2017-2-21 16:45:57 | 显示全部楼层


我觉得阿
寄生比较重
电源电压低
漏电大
更要注意匹配
aww 发表于 2007-11-24 00:15



如何用1.2V的基准,通过LDO,产生1.2V的供电呢?
发表于 2017-2-21 16:55:40 | 显示全部楼层


90nm的基准电路一般都采用什么结构啊?
zhaoguolll 发表于 2008-9-8 11:55



90nm的基准输出还是1.2V?
发表于 2020-1-22 23:26:52 | 显示全部楼层
学到了 多谢!
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