这个ESD VDD CLAMP电路结构是否合适？

andyfan · 发表于 2018-11-2 11:22:17

回复 1# thefifaman

有一片文章，很清楚的写过，3级反相器并不会更好。这个是比较早期的设计了，现在能看到的基本都是一级设计。

hwynhh@163.com · 发表于 2019-5-8 15:08:00

inicetime 发表于 2017-4-6 10:48
请问楼主3级反相器的比例如何设计的，我看smic的IO三级反相器设计尺寸为：（第一级：Pmos/Nmos：100u/5u； ...

同问

Tant · 发表于 2021-5-21 14:25:40

问一个额外的问题，信号的clamp电路和电源的clamp设计上有啥区别

mars0904 · 发表于 2021-5-24 15:21:49

Tant 发表于 2021-5-21 14:25
问一个额外的问题，信号的clamp电路和电源的clamp设计上有啥区别

这个power结构是RC clamp，里面引入了RC delay
signal clamp原则上是不允许引入RC的。

sujh0755 · 发表于 2022-6-27 11:16:57

ＨＢＭ的模型，Ｃ＝１００ｐＦ，Ｒ＝１.５Ｋ，这个是正常的，Ｌ电感在ＨＢＭ中没有，这里应该是表示ｂｏｎｄｉｎｇ线的电感，按照线长和直径一般几个ｎＨ。
据说这种ＲＣ＋ｉｎｖ＋ＮＭＯＳ的ｃｌａｍｐ都是泄放ＥＳＤ电流走ＭＯＳ沟道的，所以可以仿真验证，但是ＧＧＮＭＯＳ和ＧＣＮＭＯＳ的是ｔｒｉｇｅｒ体寄生三极管放电的，单靠电路仿真验证不了，我还没有试过，有试过的大神可以讲解一下。

daikong · 发表于 2022-9-27 14:32:26

问下楼主，图里的开关模型是抽取cdl的方法还是自己添加的网表呀？
我仿真的时候开关无法抽取cdl，（原因是开关本身是没有电路的，因此无法抽取cdl）
谢谢LZ

lzicd · 发表于 2024-2-28 14:19:06

sujh0755 发表于 2022-6-27 11:16
ＨＢＭ的模型，Ｃ＝１００ｐＦ，Ｒ＝１.５Ｋ，这个是正常的，Ｌ电感在ＨＢＭ中没有，这里应该是表示ｂｏｎ ...

厉害

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