在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: zheng070608138

[求助] SRAM读写

[复制链接]
发表于 2013-5-25 10:51:45 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2013-11-15 09:41:25 | 显示全部楼层
仲裁确定,你可找篇datasheet看看
发表于 2015-5-22 15:45:02 | 显示全部楼层
读写顺序很关键
发表于 2015-5-24 00:06:41 | 显示全部楼层
理论上是可以的。
但是SRAM本身对同一地址的读写时序有要求,如果不满足,可能会导致读写不成功的。
发表于 2016-3-14 10:48:36 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2016-4-11 17:07:59 | 显示全部楼层
我觉得双口SRAM的同一地址能否同时读写倒是其次,关键问题反而在于你的控制逻辑如何设计,当出现对同一地址的同时读写情形时,你希望读到的是写前的数还是写后的数?
发表于 2016-10-11 18:42:23 | 显示全部楼层
同意楼上。
发表于 2017-4-26 09:22:50 | 显示全部楼层
回复 1# zheng070608138


    这个问题不知道哎
发表于 2017-5-2 02:31:16 | 显示全部楼层
have to study the requirement, but I heard "write through" concept. meaning read and write to the same location, and the read out is the data_in. comments welcome
发表于 2017-8-31 19:46:22 | 显示全部楼层
Sram的控制器中都有一个仲裁器的,出现这种情况下,一般会仲裁为先写再读,有点像CPU中的hazard一个道理
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-29 06:05 , Processed in 0.027914 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表