Nmos的vth为负值，怎样做ESD防静电呢？

heeda · 发表于 2012-11-8 23:01:30

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sh_0119 · 发表于 2012-11-9 21:01:14

lz做的什么process，常规cmos工艺的常规nmos管都是+vth啊。。。
难道是耗尽管？

heeda · 发表于 2012-11-12 10:13:37

是啊，以前的Vth都是正的，ESD可以串接几个二极管，现在Vth为负值了，不好做了。

ruinsnku · 发表于 2012-11-12 14:17:58

Vth为负的话，也就是说正常的电路电压有负值？那么难点应该在于怎样使ESD器件在电路正常情况下不导通，使用二极管的确行不通，可以尝试使用背靠背的二极管、双向SCR或者NPPN的TVS器件，大概思路就是采用双向导通的器件。不过不知道你用的工艺是啥样的，做出的这些器件能不能满足设计窗口也难说。

heeda · 发表于 2012-11-14 13:53:08

是啊，GD短接成二极管的话，就直接导通了，背靠背的GD二极管也是不行的。我看了课本上的几种ESD的设计结构，都不适用在Vth为负值的情况。
我们工艺搞什么疏剪PEP，乱搞。

andyjackcao · 发表于 2012-11-14 20:56:24

本帖最后由 andyjackcao 于 2012-11-14 21:21 编辑

还有PMOS，BJT之类的晶体管吗？
或者用横向PNP，横向NPN，但需要确认其没有问题。

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