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[转载] 中芯推出1.2伏低功耗嵌入式EEPROM平台

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发表于 2012-9-24 15:31:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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中芯国际宣布,推出1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全相容。

该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、晶片尺寸和成本的同时,能提高资料的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务,主打中国快速发展的双介面金融IC卡市场及全球非接触式智慧卡市场。
发表于 2012-10-6 01:17:21 | 显示全部楼层
容量和面积怎样呢?
发表于 2012-10-6 15:22:36 | 显示全部楼层
henhaobucuoa
发表于 2014-10-15 20:17:50 | 显示全部楼层
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