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楼主: jian1712

[讨论] 开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

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发表于 2014-10-1 19:54:11 | 显示全部楼层
学习了,多谢
发表于 2014-10-16 23:22:36 | 显示全部楼层


只接一个电阻使用寄生电容形式的GCNMOS结构 还是用的击穿的原理,这个怎么理解,和GGNMOS的击穿一致吗还是有什么不同?
发表于 2015-4-1 21:40:41 | 显示全部楼层
很受用啊
发表于 2015-4-30 14:58:02 | 显示全部楼层
GGNMOS是工作在snapback下的  而GC是利用RC检测电路正常开启的  放电的位置一个在沟道 一个在衬底
发表于 2015-5-8 17:12:32 | 显示全部楼层
GC如果做的好,protection Voltage会比GG的高很多,因为GC的泄放电流能力比GG强,同样大小的泄放电流下发热少
发表于 2015-9-9 12:40:55 | 显示全部楼层
簡單來分的話,gcnmos用的更多的是其導通特性,而ggnmos用的更多的是其雪崩擊穿特性。。。
发表于 2015-9-11 08:50:54 | 显示全部楼层
一般情况下,用在pwr 和gnd之间的是导通型的GC,而在输入输出pin与内部电路之间用的是击穿性的GG ESD结构。还有泄放电流的能力强弱主要还是看寄生内阻的大小,放电通道上的电阻越小,其ESD越强
发表于 2015-9-29 18:47:51 | 显示全部楼层
分析得很好
发表于 2016-3-9 17:09:09 | 显示全部楼层
回复 5# soldierxfm


   应该是GGnmos的面积更小
发表于 2016-7-8 16:56:02 | 显示全部楼层
受教了。
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