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[讨论] LDO设计讨论,附带自己的设计,诚盼高手分析,讨论,支招

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发表于 2012-9-16 21:24:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 johnlee521 于 2012-9-16 23:48 编辑

我是模拟设计初级者,没什么经验,考虑不周,自己设计的LDO,可能有很多地方不是很符合常识,盼大家讨论!
这是我这次设计的 “设计要求” ,工艺:TSMC 0.18um

項目MINTYPMAX備考
输入电压1.7 V2.0 V2.3 V 
温度-40℃25℃125℃ 
负载电容-10 pF-内蔵。
负载电流1 uA100 uA1 mA 
bandgap参考电压-0.7 V- 





输出電圧1.38 V1.4 V1.42 V 
增益40 dB-- 
相位裕度30 度-- 
消費電流--10 uA 
起動時間1--5us 
起動時間2--5us 
负载过渡
load regulation
--20 mV1uA -> 1mA @1us
面積--20000 um^2所有管子,电容,电阻的直接和粗算。
方块电容:2 fF / um^2
方块电阻:100 Ω /□(分压用的电阻必须为width = 2 um;如果需要补偿电阻则可以为width = 1um)



(1)下面是我的LDO的结构图
1.PNG



(2)下面是放大器的电路结构

2.PNG



仿真结果很多,我现在只把典型的最差情况下的结果贴上来,以供参考
(1)相位裕度的最差情况(   VDD=2.3V ,Temp =-40度 ,Iload=1uA,工艺FF)
    仿真结果为30.1961°,很勉强的达到了设计要求。实际芯片的话,肯定不行,但我在各种平衡之下,
是采用这几结构设计,我能力极限了,如果在调高一些,其他的,尤其是负载过渡load regulation和消费电流
实在没法完成。
5.PNG


(2)负载过渡load regulation最差情况(Temp =125度 ,  VDD=1.7V,工艺为SS)
最差情况19.7mV,离设计要求20mV也是很勉强的达到了,但还是不行,保有的余地太小了。
下图是我SS条件下,扫输入电压,温度的结果图。
4.PNG



(3)其他的仿真图就不贴了,都达到了设计要求,其中消费电流当在最差在9.5uA(要求10uA)左右,有些勉强。
----------------------------------------------------------------------------------------------------



看完了以上,我的问题来了,麻烦请高手解惑!

(aaaa) 最主要的问题:  
    按照设计要求,我采用的OPAMP的结构是否合理?LDO的OPAMP都有哪些常用结果?他们都有什么样的优缺点?
    在拿到设计的时候,根据要求该如何定自己的电路拓扑结构? 有好资料推荐一下,我英语很不好,最好是中文资料哈。。


(bbbb)设计要求中没有要求基准电流的大小,我是为了完成设计要求,仿真时自行的决定为0.5uA,这种做法在实际芯片设计的时候,
会出现什么样的问题?还有,我学画过layout,做设计的时候,极不情愿把MOS管的M数设置为奇数,做这个设计的时候,我实在无法满足
电流条件和负载过渡load regulation条件,为了增大OPAMP输出级PMOS的过驱动电压Vov,降低左边支路的电路,采用了奇数,不得已啊,
实际芯片设计这样可不可以啊?有什么问题吗?


(cccc)我的相位补偿用两个电容补偿,这种方法怎么样?会不会出问题,因为负载电流是变化,这种补偿,功率管处的极点和OPAMP输出级的极点是移动的。采用其他的结构设计的话,该如何补偿?


(dddd)
现在就想了这几个问题,其他的一时不知怎么问,问题太多了,自己也糊涂了。。。。。
望有经验的高手耐心指点,或讨论一下,先在此谢过。。。。。

“支持”,“学习了”之类的回复就不要回了,以防淹没好的回复,大家共同阅读,共同学习就可以啦
发表于 2012-9-16 21:57:58 | 显示全部楼层
电流镜结构带宽大。但是增益不高!
发表于 2012-9-16 22:02:17 | 显示全部楼层
可以考虑加个buffer
 楼主| 发表于 2012-9-16 22:24:28 | 显示全部楼层
回复 2# semico_ljj

    嗯,确实增益不大,设计要求增益是40dB,要求不高,所以增益可以刻很好的满足。    我也考虑过7管结构的两级运放设计(复杂结构不大会,呵呵),但是考虑到光两级运放自身就产生了两个极点,再加上输出极点,相位裕度就更难满足了。
    现在,想试试折叠共源共栅运放结构设计,还没试,但似乎消费电流怕不好满足。。。有什么建议
 楼主| 发表于 2012-9-16 22:26:43 | 显示全部楼层




   嗯,看过一些文献,都用了Buffer,我不大会用,尤其怎么设置管子的参数,而且,有个疑问,如果加了buffer,会不会产生额外的极点,对系统会不会产生比较大的影响?
发表于 2012-9-16 22:28:30 | 显示全部楼层
你这个最大电流就只有1mA吗?会不会有瞬间的大电流冲击,这时候是要靠电容去抗的,10p太小了吧!
 楼主| 发表于 2012-9-16 23:46:55 | 显示全部楼层


你这个最大电流就只有1mA吗?会不会有瞬间的大电流冲击,这时候是要靠电容去抗的,10p太小了吧!
万水之源 发表于 2012-9-16 22:28




   10p不是我设计的电容,是设计要求里必须要有的一个电容(详见设计要求),这个电容是LDO模块内部自带的,模块设计者不可以改变。编写设计要求的leader,出发点可能是作为,LDO模块后级连接电路的栅电容。你可能以前看到的设计负载电容很大,那是额外的外附电容,所以很大,如果做在芯片里面,0.18的工艺面积可以想象。。。
发表于 2012-9-23 08:58:48 | 显示全部楼层
这个设计属于没有外挂电容的LDO还是……??
 楼主| 发表于 2012-9-23 20:05:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 johnlee521 于 2012-9-23 20:14 编辑


这个设计属于没有外挂电容的LDO还是……??
semico_ljj 发表于 2012-9-23 08:58




   嗯,设计要求没有外挂的电容,是我设计练习的一个LDO,很多都不懂。我试着弄了个folded cascade结构的放大器,不加放大器还好,是这样的:
3.PNG


ac仿真
4.PNG
1.PNG


电流负载过渡仿真

2.PNG


从结果看,folded cascade的输出电阻太大,导致第一极点在低频,带宽较小,所以负载电流仿真的结果,输出电压变化很大。然后我试着加个buffer,但是对buffer不是很了解,管子大小,电流我是随意取的,加上之后,ac仿真结果的图形完全不正常了,我发愁着呢
发表于 2012-9-28 15:28:26 | 显示全部楼层
楼主用的什么电路图及仿真软件
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