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[解决] 反向了常见LDO和DC-DC的ESD结构,发现都只有GGNMOS,请高手指点,谢谢!

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发表于 2012-8-15 23:20:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 math123 于 2012-8-16 18:49 编辑

如图所示,EN引脚只有GGNMOS,没有和VIN之间PMOS结构(类似GGNMOS)
请问什么情况下才要加这个PMOS的ESD结构啊?

ESD.png

    还有,我查看了一些资料,看到下面列出的一些ESD测试的方式,对于LDO和DC-DC来说,将VIN代替
VDD就可以了吗? 还是看做没有VDD,VIN作为一般引脚来看待? 请高手指点,谢谢!

进入芯片的静电可以通过任意一个引脚放电,测试时,任意两个引脚之间都应该进行放电
测试,每次放电检测都有正负两种极性,所以对I/O 引脚会进行以下六种测试:
2
1) PS 模式:VSS 接地,引脚施加正的ESD 电压,对VSS 放电,其余引脚悬空;
2) NS 模式:VSS 接地,引脚施加负的ESD 电压,对VSS 放电,其余引脚悬空;
3) PD 模式:VDD 接地,引脚施加正的ESD 电压,对VDD 放电,其余引脚悬空;
4) ND 模式:VDD 接地,引脚施加负的ESD 电压,对VDD 放电,其余引脚悬空;
5) 引脚对引脚正向模式:引脚施加正的ESD 电压,其余所有I/O 引脚一起接地,VDD 和
VSS 引脚悬空;
6)引脚对引脚反向模式:引脚施加负的ESD 电压,其余所有I/O 引脚一起接地,VDD 和
VSS 引脚悬空。
VDD 引脚只需进行(1)(2)项测试
发表于 2012-8-16 15:45:36 | 显示全部楼层
ggnmos在电源和地之间也加了,所以io对电源打的时候就可以先到地pin,然后经过电源和地的ggnmos到电源,已经有了通路。pmos的snapback很差,不如ggnmos加二极管的能力强,可以不加。
 楼主| 发表于 2012-8-16 18:50:48 | 显示全部楼层



明白了,谢谢
发表于 2012-8-24 21:56:09 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2012-8-24 22:19:26 | 显示全部楼层
也是为了节省面积!加了会更好
发表于 2012-8-25 08:21:24 | 显示全部楼层
一般有分 GGNMOS  or  SCR ..circuit 都是 nmos diode , SCR 會layout 畫入 p n pn ..
有一說法 SCR 可耐電流大一些 ,但因為 scr 會被 trig ..沒設好 trig點可能會誤動作 , 對 analog來說就是 leakage .  GGNMOS 一般不會 .

故多使用 ggnmos , 至於 laYOUT SIZE   SCR 可比 GGNMOS 小一點 .
很多 esd 只有 nmos 沒有 pmos , 但當打對 v+  是沒 path 可流 , 會如此做是因為   很多早期 pmos diode   在 lv來說說會接到 chip 內 低壓5v ,  LV ESD CELL 是如此 但 esd 會打不過 .
後來乾脆拿掉 , 還有的人是用 高壓 biode (hv process) 來做 p端 esd cell.

比較麻煩是 rf signal 或是 如 pwm 中 zero crossing 用 zcd , 光 ggnmos esd 的電容
就會影響到 ,很多做法是 因為 signal 打低點 或降低 esd 要求 .
因為 zcd 本來就是 低壓很低 ..

對拉 如果是 800v uhv  pin .. 不知 esd cell 須不須要 ?  還是說 pull_up  uhv
當純電阻 不管他 ??
发表于 2017-7-18 14:48:44 | 显示全部楼层
提供反向服务,北京方华佳瑞科技有限公司,13161519588
发表于 2018-8-22 15:32:07 | 显示全部楼层
回复 2# lucia_wan


   good mark
发表于 2018-11-22 19:48:52 | 显示全部楼层
Mark 一下!
发表于 2019-1-22 10:58:27 | 显示全部楼层
学习了
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