一种很奇怪的带隙基准

huaqi256 · 发表于 2012-4-27 08:37:59

本帖最后由 huaqi256 于 2012-4-27 08:41 编辑

回复 10# amodaman

嗯，推导还是很好推的。就像我这样不完全懂原理的都能推导出来，更何况是您这位见多识广的人呢？我在论坛上经常能够看到您回别人的帖子，总的来说，回复的都是一堆废话。如果说你想挣个信元，你单纯就回复一个kankan我都可以接受。但是说着这样很没有水准的话，让我觉得可能是你的人品的问题？之前看过大神wind2000sp3回复某个楼主的一个帖子。实实在在的说，那个楼主的帖子发的没有技术含量，不过正是因为他这个帖子，加上wind2000sp3的详细回复，才让我们很多人都更加了解那个电路。楼主的心情可以了解，但是楼下已经告诉他在艾伦的书上已经有详细的解释了，然后大神wind2000sp3也笑话了他一下，楼主震怒，骂了大神一句，最后大神心平气和的特别详细的把那个问题做了详细的解答。我不想像那个楼主一样，把你大骂一顿，对我来说，每一位对我帖子做认真回复的人都是让我尊重的，就算是回复了一个‘学习了’，我也会很感激的说一句我也是。我怕我误会了你的意思，回这个的时候还专门又看了一遍你的回复，你说经常见这个电路，你倒是说个具体的原理啊，如果嫌麻烦，你告诉我哪里出现这样的结构，我可以自己重新去钻研，这样我还会更加感谢你，因为你交给我的是一种方法。像你这样的回复，真的是比废话还是让人别扭。。。。

huaqi256 · 发表于 2012-4-27 08:56:31

回复 8# zhc6300

哈哈，看来咱俩差不多是一个水平，一起努力哈，以后就能看懂了

amodaman · 发表于 2012-4-27 09:27:07

回复 11# huaqi256

批评的好，下次努力改正。我有时间找找起源的论文贴出来，不过不一定能翻出来，也不一定有时间，呵呵。

huaqi256 · 发表于 2012-4-27 10:08:28

回复 13# amodaman

其实你说一下大体是个什么样的题目或者什么样的书就行，也不是说非要钻那个牛角尖，只是这个问题困扰我很久了，自己一直解决不了，论文更是看了快上百个了（只是看有没有相似的电路，具体的内容没细看），心情一直不好，所以也会说这么多。我找不到，那就是我自己的问题。我这个人就是容易冲动，你也别见怪，你看到的部分还是我后悔完马上就修改的部分呢。其实我也知道，你在论坛挺活跃的。就像我这样的，你也不用给太详细的讲解，给个思路或者是说一个参考资料就更好了

amodaman · 发表于 2012-4-27 10:47:25

其实我之所以没说太多电路的解释,是因为前面的人已经基本上说清楚了,他们说的都是对的.我通看了一遍这些帖子,发现你有可能没有想到一个简单的事实,就是Q13的基极-发射极电压(负温度系数)叠加在IPTAT电流流过电阻所造成的正温度系数的电压上,所以Q13的基极就是输出了一个温度补偿的电压。Q13本身是由电流偏置的晶体管，它并不确定自己所在支路的电流，它的电流是PMOS电流境提供的，这个电流是IPTAT电流。IPTAT的产生是由于这个简单的回路增益造成的，虽然增益不算大，所以这个带息基准电压不会太准确，纠错能力也不算很强，因为回路中并没有一个很多地方都用的带息基准放大器。还有哪些地方不清楚？

icp · 发表于 2012-4-27 12:27:02

回复 14# huaqi256

这是一个三支路基准，右侧的三个之路形成一个负反馈环路，但是最右侧2个支路还存在一个正反馈环路，在大的负反馈环路稳定的时候，上边的MOS使两个bipolar电流相等，然后，再由bipolar的Vbe的差值/R，来得到基准，原理不难，但是如果想弄明白如何稳定里面的正反馈环路，我觉得还是自己画小信号吧，当然，也可以仿真环路BODE图

luqcheng · 发表于 2012-4-27 13:34:53

记得清华朱正涌的半导体集成电路书上有类似的结构，全bipolar的，原理不会变，有空找来看看

william_rx · 发表于 2012-4-27 13:34:57

我觉得这个电路少了点东西，在Q10 和Q13 的source间要有个电阻，这样才能得到zero temp coefficient curve。

william_rx · 发表于 2012-4-27 13:48:59

本帖最后由 william_rx 于 2012-4-27 14:34 编辑

我觉得这个电路很有意思，参考gray那本书的图4.38 （a），是否能这么理解：
先不考虑Q10, 那么Q11,Q13 可以看做是T1,T2，加上电阻形成self biasing ,
然后在考虑Q10, Q10的功能就是使得原来仅由Q11,R,决定的Q13 电流变成PTAT，电流*R
后加上Q13的Vbe, 形成BGR

luqcheng · 发表于 2012-4-27 14:02:16

刚下本朱正涌翻了翻，貌似没讲啥实质的东西。我理解有以下三点
1、构成负反馈回路（直接用类似第二幅图的电流镜也可以实现，但是会造成P3、P4Vd差异，受沟长调制影响严重；而加cascade后启动电压受影响，运放又太复杂）
2、嵌位Q10、Q11 C集电压，减小P3、P4沟长调制影响和Q10、Q11 early效应的影响
3、补偿Ib10的影响

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