BCD工艺高压MOS管

jxyshr · 发表于 2012-3-25 17:06:15

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CSMC BCD工艺，rule里说高压管需要guard ring和isolation ring，但是文档里描述的含糊不清，所以想请教一个大家这两个环应该怎么画？

jxyshr · 发表于 2012-3-26 10:35:51

这么久连一个回帖的人都没有吗？

zhuyujun · 发表于 2012-3-26 10:46:13

我调出来的PDK怎么两个环已经有了，不明白

jxyshr · 发表于 2012-3-26 11:01:00

回复 3# zhuyujun

你调的是哪种MOS管？直接生成的版图大部分只有一个高压阱保护环需要自己画不然DRC报错

zhuyujun · 发表于 2012-3-26 13:14:56

所有的器件都有啊，我也不知道啊

jxyshr · 发表于 2012-3-26 16:46:59

回复 5# zhuyujun

你是csmc 0.5BCD工艺的吗？怎么我这直接调个管子drc就会报错

cts · 发表于 2012-4-3 11:31:49

一班提供此工藝的公司一定會有PDK且不准你亂改, 仔細看PDKcell

浪漫的雨 · 发表于 2013-1-8 10:55:02

可以按照design rule上的结构化，好像isolation ring这一圈要粗很多，最近也在研究0.25umBCD工艺

licao0124 · 发表于 2013-1-14 15:16:12

回复 1# jxyshr

我用过的工艺里，一般来说有isolation ring的，会有nbl这一层，用来和sub隔离或者衬底电位不同的管子隔离，guard ring是自己加的，做衬底接触，防止寄生什么的。

rae1989 · 发表于 2013-12-11 09:44:31

回复 8# 浪漫的雨

请问你有这个工艺的仿真文件吗？0.25BCD工艺的

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