求助！CMOS工艺poly栅和源漏注入哪个在先？

wolffshen · 发表于 2012-1-22 00:14:52

回复 5# icfbicfb

N+ Poly和P+ Poly的Work Function不同，所以会影响Vt

daijiatang · 发表于 2012-2-3 19:58:08

书上介绍的自对准，是gate poly在先。不过记忆中，有些foundry不是这样子的。

charles171 · 发表于 2012-2-5 15:40:41

poly gate在先，这样可以实现自对准工艺

charles171 · 发表于 2012-2-5 15:41:56

有好处，减小导通电阻

k317495093 · 发表于 2012-4-13 11:01:01

自对准的

慕容紫英 · 发表于 2012-4-13 15:03:08

源漏栅同时注入

phase2000 · 发表于 2012-4-17 10:07:52

8 # shi zheng jie

godfather777 · 发表于 2014-1-3 11:32:32

这个就是gate first和gate last 的区别吧，不同的foudrary不一样

神般存在 · 发表于 2015-12-3 14:52:40

有gate-first和gate-last之分

yixiu0000 · 发表于 2016-5-19 16:27:40

和POLY的掺杂方式有关,如果是POCL3掺杂,应该是源漏在后,如果是注入掺杂,那应该是N+/P+同时注入的;
不一定对;

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