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[求助] mim与mos有什么区别,分别在什么情况下使用?

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发表于 2011-11-27 10:37:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题,谢谢!0
 楼主| 发表于 2011-11-27 10:39:57 | 显示全部楼层
回复 1# lixiaojun707


    是指mim和mos电容
 楼主| 发表于 2011-11-27 12:37:26 | 显示全部楼层
回复 1# lixiaojun707


    是指mim和mos电容
发表于 2011-11-27 12:48:54 | 显示全部楼层
mim 是2层metal之间的电容,  一般是top和top-1 层metal之间的,

比较精确 , 一般要ultra thick metal 这种工艺来制作

mos电容不是特别精确, 不准
发表于 2011-11-27 17:09:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 iamshan 于 2011-11-27 17:12 编辑

MOS电容受限制比较大,因为是MOS结构,DC偏压直接影响电容的大小,而且电容的充放电也比较慢,尤其是在反型的时候,同时poly deplection也会影响MOS电容值。
MIM电容两端是METAL,充放电速度应该更快,没有其他半导体效应的影响。
FYI
至于应用在什么地方,不是做设计的,不大清楚。但是RF产品工艺中一般都是有MIM结构。
发表于 2011-11-27 23:38:57 | 显示全部楼层
MIM CAP用在对cap值要求比较精确的场合 , 比如 adc的采样电容,
一般是 0.7~1.5 ff /um2 ,


RF 里面用的多,因为 用了ultra thick metal(即top thick metal) ,有利于mim的形成
发表于 2011-11-28 16:06:24 | 显示全部楼层
mim : metal insulator metal, 工作原理类似于平板电容,电容值较精确,可以用面积x单位面积电容来估算电容值.电容值一般不会随偏压变化.电容值较大时,占面积很大.一般在靠近顶层金属的地方实现。
mos电容 : metal oxide semiconducter, 工作原理参考半导体类书籍中的二端口mos结构,电容值不精确,且可以实现随控制电压变化而变化的电容值。版图面积大大小于mim。在硅片表面实现,需要用到active区。
发表于 2011-11-28 18:08:15 | 显示全部楼层
还有一种MOM 电容, metal oxide metal,用到侧面metal oxide直接形成的

和侧向平板电容类似,
 楼主| 发表于 2011-11-28 19:44:47 | 显示全部楼层
回复 8# icfbicfb


    mim和 mom电容的区别又是什么,应用范围呢?
发表于 2011-11-29 09:12:29 | 显示全部楼层
mom 电容见tsmc design rule,有讲
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