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[求助] 防止天线效应时,layer jump为什么不往下层Metal跳线?

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发表于 2011-9-22 09:52:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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防止天线效应的措施:layer jump, insert diode.
对于 layer jump,一般都是往上层金属跳线,如果下层有布线空间允许跳线时,也一般不会往下跳,为什么?
发表于 2011-9-22 10:13:21 | 显示全部楼层
我记得论坛有人回答过啊,比如说一根L1+L2+L3长的METAL3,
如果往下跳L2,那么在制造METAL3的时候,虽然减小了L2,但是还有L1+L3(因为都连上L2)的长度
如果往上跳的话,制造METAL3的时候,因为L1和L3还是断开的,所以这个vio的长度就是L1或L3,效果更好。
不知道解释清楚了没
发表于 2011-9-22 13:49:48 | 显示全部楼层
回复 2# strivenbu


   天线效应是由于工艺制造过程中的电荷积累而形成的效应, 请问通过metal4 把metal3连起来与通过metal2把metal3连起来在电荷积累上有区别吗?对于这个问题我一直很不明白,请高手指点。
发表于 2011-9-22 15:17:10 | 显示全部楼层
回复 3# huang1986


    有区别啊 用M2连的话,在制造M2的时候,没问题,但是 在制造M3的时候,有2段要通过M2积累电荷,也就是说效果只是减小了M2的那段。
而通过M4相连的话,制造M3的时候,只有一段(其实还是2段,但是2段分开了,没接在一起,所以可能vio的只是2段中最长的那段),然后制造M4的时候,M3的电荷早就放完了,就只剩下M4的那段,所以效果要好
我也不知道说的对不对,只是我的理解,还请大牛指正啊!
发表于 2011-9-22 15:41:39 | 显示全部楼层
貌似金属每层层刻蚀后是有个放电处理工序,4楼说的有道理
发表于 2011-9-22 22:52:26 | 显示全部楼层
回复 4# strivenbu


    所以对于跳到顶层了还是有天线效应的情况,往下跳层也是解决天线效应问题的一个方法。
发表于 2011-9-22 23:14:03 | 显示全部楼层
往下跳也许是个选项, 比如修top layer的天线,

一般是往上跳, 和半导体生产工艺的电荷积累机制有关系,
发表于 2011-9-22 23:19:35 | 显示全部楼层
回复 4# strivenbu


   4楼就是正解, m3往m2 跳 那造m3的时候 还不是m3+m2的长度么, 积累的电荷一点也没减少这主要是制造顺序决定的~ m2先,
发表于 2011-9-25 19:40:51 | 显示全部楼层
恩,4楼讲得很对,我感觉也是与制造过程有关。因为在制造的时候,如果是向下跳的话,在制造M3的时候,虽然把中间那段打开了,但是由于M3的两段还是通过M2是连接在一起的,所以,M3还是会收集电荷。4楼这个说法还是很有道理的。
我另外的想法是,由于在制造工艺的时候是先敷一层绝缘层,在添加上掩膜,再敷上一层金属层,所以从这个角度来谈的话,向下跳线实际中就没办法实现,因为在敷金属层的时候是一块面积整个敷上去,只有被掩膜遮盖的地方留出了via的地方,这样的话如果M3就没法往M2跳,因为M3是直接就敷上一整层的。而想上M4跳可以的原因是因为,在敷M3的时候可以先添加掩膜将需要断开的部分断开,这样在敷上M3的时候就会出现断开的M3,而M4就可以把这两个via填充,形成向上跳线。
发表于 2011-10-1 14:17:49 | 显示全部楼层
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