砷化镓，锗硅，cmos噪声系数

jkli022 · 发表于 2011-9-12 10:43:54

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小弟以前是做PCB板，对芯片电路不怎么接触。以前用的射频管很多都是砷化镓的管子。最近在看些芯片电路，有很多都是锗硅，cmos的。现在有个疑问，这三种工艺在设计LNA时，哪种工艺的噪声系数会做的最小？哪位大神有这方面的比较资料，谢谢。Email：jkli022@163.com.

xuxingfu2009 · 发表于 2011-9-13 23:18:01

砷化镓NF最好，不过比较贵。

LKSJLKSJ · 发表于 2012-10-11 15:55:38

>10GHZ, GAAS>>SIGE>CMOS
BELOW 5GHZ, GAAS>SIGE>=CMOS,

yangxiaolan1 · 发表于 2013-8-13 10:41:01

为什么普通mos管的高频噪声性能不好呢

jkli022 · 发表于 2013-11-2 15:54:31

听别人讲是因为工艺制备的不同，导致管子的噪声系数不一样

ywt000 · 发表于 2013-11-5 20:35:51

学习了

hujiaomianhao · 发表于 2019-12-19 09:14:17

学习了！！！！！！！


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