求教LDD结构

sunshuanghao · 发表于 2014-6-19 16:30:33

学习了不错

3512596 · 发表于 2014-8-21 15:05:29

不错 13楼说的比较准确学习了

dutu · 发表于 2015-6-10 21:18:34

回复 13# GnitNait

正常的工艺步骤是做完多晶硅栅后做源、漏重掺杂，然后做侧墙（sidewall spacer），然后再做源漏区的重掺杂。在LDMOS里面，LDD区很长，那个是为了提高击穿电压的。

你是不是想写，先做轻掺杂，再做墙，最后重掺杂。
你写的两个都是重掺杂。

研究生笑笑 · 发表于 2015-12-24 21:33:28

谢谢，学习了！

xinzai2010 · 发表于 2017-5-7 22:40:59

学习了，有的工艺里ldd和P+是share同一块 mask，把ldd放到spacer之后的P+一起

shangda1 · 发表于 2017-5-31 17:39:32

回复 9# yuluw2004
HCI: hot carrier injection 热载流子注入

binbin@ · 发表于 2017-6-7 10:21:07

thanks a lot

yuyang1260 · 发表于 2017-6-15 16:59:36

回复 2# longgangtou

ESD？你这个就暴露水平了

翔子zkx · 发表于 2017-7-27 20:43:10

回复 1# dqyang

有两种做法：1.先做N-注入，然后生长spacer，自对准注入N+
2.先长spacer，然后注入N+，接下来倾斜一定角度向spacer注入N-
作用是一样的：貌似是为了降低热电子效应

gugu810 · 发表于 2020-12-14 13:16:33

学习了，谢谢

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