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[求助] tsmc工艺中硅化(silicide)和非硅化(unsilicide)多晶硅电阻,那种工艺偏差更小呢

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发表于 2010-10-17 19:08:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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没用过tsmc工艺,求帮助
发表于 2010-10-17 19:51:43 | 显示全部楼层
非硅化电阻应该精度会高些
发表于 2010-10-18 14:08:03 | 显示全部楼层
《模拟集成电路与系统》,58页,
硅化多晶电阻,电阻精度 35%
非硅化多晶电阻,电阻精度 50%
阱电阻,电阻精度 50%~80%
搞不清楚这里的百分比是大些好还是小些好。
发表于 2010-10-19 11:45:25 | 显示全部楼层
楼上的百分比可能指误差
发表于 2010-10-19 12:02:09 | 显示全部楼层
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