low-k 的材料会不会容易被ESD击穿

zhukh · 发表于 2010-5-29 23:40:59

我说的情况就是外部输入到内部的。一根线连到VDD1 pin，一根线连到VDD2 pin。如果当ESD 从VDD1 打到VDD2 pin 时ESD 脉冲会顺着电源线传到芯片内部，如果VDD1 的电路面积不大，那么寄生电容也就小，ESD脉冲也就不 ...
analogmind 发表于 2010-5-29 17:14

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如果你是考虑到VDD to VDD的测试模式，我想电源总线足够宽，你不必担心金属与金属之间被ESD打坏。要坏应该也是内部电路或者ESD保护器件坏了。从一个VDD to 另一个VDD，就ESD器件来说，一般要经过一个Power clamp ESD Device，再经过一个二极管。一般接电源pin的电路至少是两个管子（一个PMOS一个NMOS）叠在一起的（或者是很大的MOS电容），所以电源pin端对内核电路端的结击穿电压还是没那么容易被击穿的，也就是说ESD器件还是会先开启泄放ESD电流，当然ESD大电流在开启电阻上的压降太高肯定会有击穿内核电路的危险，所以既然你意识到了这个问题，就必须尽量减小ESD通路上的电阻，比如加宽金属，优化ESD防护器件的开启电阻或者采用多条ESD路径。
至于几纳秒的时间内20V会不会损坏内部电路很难说，不同的工艺，不同的内核电路结构以及ESD器件的性能都会有不同的结果。去测试下MM ESD，看能过多少V。

slj0716 · 发表于 2010-5-30 08:41:17

看看ESD layout 规则，看看能不能搞70um呢

analogmind · 发表于 2010-5-30 10:12:32

大哥，45nm纳米的工艺啊，得多少大的面子别人才帮你做啊。。。。。除非是柯教授他老人家。。。

zhukh · 发表于 2010-5-30 22:34:36

大哥，45nm纳米的工艺啊，得多少大的面子别人才帮你做啊。。。。。除非是柯教授他老人家。。。
analogmind 发表于 2010-5-30 10:12

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呵呵，还以为你手头有芯片呢
说不定也有机会做的

有宋 · 发表于 2010-5-31 21:09:08

7# analogmind

电源线一般来说会是宽金属，其间距离要比最小间距大。
但确实有可能有极端情况出现，或许有DRC规则规避这样的问题：譬如直接从PAD接入的金属线之间距离得才用一个非最小值。

hte2000 · 发表于 2010-5-31 21:12:11

45nm的工艺.....太遥远了，对于analog来讲。

analogmind · 发表于 2010-6-1 12:44:52

最近看了一下TSMC的文档，low-k的击穿问题在45nm中应该问题不大。
TSMC做low-k的TDDB测试用的是20~30V的脉冲电压和70nm的线间距，失效时间应该在毫秒级。所以对于纳秒级的ESD脉冲来说应该没有问题。不过对32nm以后的工艺，这可能会是个问题，那时的k会降到接近2.0的程度。

tbird688 · 发表于 2010-6-2 10:58:18

ESD设计对我来说一直是一个难点啊。

hujunhfut · 发表于 2010-6-8 19:01:43

12楼的，你说，“当然ESD大电流在开启电阻上的压降太高肯定会有击穿内核电路的危险”，想问下，大电阻不就是为了让ESD电流迅速减小么，相当于断路啦，这样不就不会打到内部芯片了么？是不是你说反了？

widlarfan · 发表于 2010-6-9 00:52:11

Yes, a good ESD should keep that from happening.

我感觉芯片内部的核心电压不太可能出现有瞬时20伏的压降。
如果这个是内部产生的，那是你电路设计有问题
如果是外部输入到内部的，那是你的ESD有问题。
zhongbo1127 发表于 2010-5-29 16:56

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