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[求助] 请教一个ESD保护的问题

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发表于 2010-3-26 17:46:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 CDS 于 2010-3-26 18:10 编辑

看到的资料都是MOS管的ESD保护能力要强于二极管。电源到GND之间用MOS做保护好呢,还是用二极管好?为什么?
发表于 2010-3-26 18:08:02 | 显示全部楼层
我接触到的片子都是用二极管做的,但是我也没有具体研究过这是为什么。
发表于 2010-3-26 19:29:01 | 显示全部楼层
因为mos管可以snapback,diode不能
 楼主| 发表于 2010-3-26 19:57:51 | 显示全部楼层
我也看到都是用二极管做VDD到GND保护的。为什么不用MOS呢,效果不会更好吗?
bluesmaster:MOS有snapback不是更好吗?为什么VDD到GND不用MOS呢?
发表于 2010-3-26 20:57:12 | 显示全部楼层
请问二极管怎么做?反向?还是用几个二极管叠加起来?
我们一般都用mos来做
发表于 2010-3-26 23:48:31 | 显示全部楼层
1# CDS

我来回答下,具体情况具体定吧。首先你要知道ESD发生的模式,要保证各种ESD stress情况下都要有泄放通路。IO对地或电源之间都可能发生正负脉冲的ESD应力。
举例来说 IO 对地之间打正的ESD脉冲,如果是采用MOS的防护方案,那么有两条通路:1. IO to GND (NMOS的寄生BJT效应,有snapback现象);2. IO to PMOS to Power Clamp (between VDD and GND), finally to GND.
如果是diode,那么只能依靠第二条路径来泄放ESD电流了,因为CMOS工艺下二极管的方向ESD泄放能力是很弱的,而且击穿电压也比个高。所以用二极管的话,电压与地之间的Power Clamp一定要做好!
发表于 2010-3-26 23:52:27 | 显示全部楼层
4# CDS

恰恰反之,电源对地之间我看到的都是NMOS做的Power Clamp居多,GND PAD也会加二极管,或者NMOS管接成的二极管,其实就是GGNMOS了。
并不是说snapback就好,其实不然,很难仿真,反而non-breakdown的Device作为ESD器件比较好把握。
发表于 2010-3-26 23:55:31 | 显示全部楼层
5# refugee
CMOS工艺中,二极管有好几种
1. MOS管来做
2. BTJ管来做
3. P+/Nwell二极管
4.N+/Pwell二极管

都希望用正向来泄放ESD大电流,如果电源和地之间正向使用,考虑到漏电流,要叠加起来使用
 楼主| 发表于 2010-3-27 20:29:35 | 显示全部楼层
zhukh:
我看到的都是I/O口对VDD和GND用的MOS管做ESD保护。VDD到GND用的是二极管。没有看到过VDD到GND用MOS管的。不知道有什么道理。
发表于 2010-3-27 23:36:10 | 显示全部楼层
图表是工程师的语言,没图问得人问不清,答得人也答不清
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