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楼主: jamyce

DDR DQS信号的用途讨论

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发表于 2012-5-25 09:09:30 | 显示全部楼层
回复 53# wangyingwei


   行为仿真模型?这个还真没用过。待会试试,感觉上,DDR控制器的设计也就初始化、读和写三块时序而已,应该不是特别麻烦才对,但是就是读不出来,这样我都不敢确定我是否写进去了,求指点啊
发表于 2012-5-25 10:39:13 | 显示全部楼层
还有刷新,你说那种简单时序只是仿下行为模型还可以,要想用到实际中DDR器件还要接PHY,DDR协议虽然不是太难,但实际用起来还真不容易
发表于 2012-5-25 10:44:30 | 显示全部楼层
建议你可以先用XILINX或ALTERA的DDR 控制器IP里面有仿真环境,结合波形可以加深你对DDR协议的理解,结合它的结构再设计你的controller
发表于 2012-5-25 11:21:49 | 显示全部楼层
回复 7# hello2000


    那为什么DQS在读的时候又没有设计成与数据间90的偏移呢,对齐干嘛?求解释
发表于 2012-5-25 11:24:47 | 显示全部楼层
回复 55# wangyingwei


   PHY?我直接使用Spartan3E实验开发板上的DDR芯片,物理层接口PHY还用考虑么?刷新我有,刷新周期61ms左右,判断是否写进DDR的标准是什么?为什么读操作的时候chipscope上观察不到DQ和DQS上有信号变化啊?求赐教啊~~~
发表于 2012-5-25 11:27:06 | 显示全部楼层
回复 57# wxfeng


   在读操作的时候,DQS是有DDR本身产生的,不用去管它跟DQ的对齐方式了吧?只要写操作的时候中央对齐就行了,我个人的理解,代码也是这么写的
发表于 2012-5-25 11:28:49 | 显示全部楼层
回复 56# wangyingwei


   额,可是我时间上来不及了,代码也基本编完了,但就是读不出来,找不到原因。
发表于 2012-5-25 14:13:55 | 显示全部楼层
DQS是DDR SDRAM中的重要功能,它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期,并便于接收方准确接收数据。

  每一颗芯片都有一个DQS信号线,它是双向的,在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号,读取时,则由芯片生成DQS向北桥发送。

  完全可以说,它就是数据的同步信号。

在读取时,DQS与数据信号同时生成(也是在CK与CK#的交叉点)。

  而DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔,数据真正出现在数据I/O总线上相对于DQS触发的时间间隔被称为tAC。注意,这与SDRAM中的tAC的不同。

  实际上,DQS生成时,芯片内部的预取已经完毕了,tAC是指上文结构图中灰色部分的数据输出时间,由于预取的原因,实际的数据传出可能会提前于DQS发生(数据提前于DQS传出)。

  由于是并行传输,DDR内存对tAC也有一定的要求,对于DDR266,tAC的允许范围是±0.75ns,对于DDR333,则是±0.7ns,有关它们的时序图示见前文,其中CL里包含了一段DQS的导入期。

  前文已经说了DQS是了保证接收放的选择数据, DQS在读取时与数据同步传输,那么接收时也是以DQS的上下沿为准吗?不,如果以DQS的上下沿区分数据周期的危险很大。

由于芯片有预取的操作,所以输出时的同步很难控制,只能限制在一定的时间范围内,数据在各I/O端口的出现时间可能有快有慢,会与DQS有一定的间隔,这也就是为什么要有一个tAC规定的原因。

  而在接收方,一切必须保证同步接收,不能有tAC之类的偏差。

  这样在写入时,芯片不再自己生成DQS,而以发送方传来的DQS为基准,并相应延后一定的时间,在DQS的中部为数据周期的选取分割点(在读取时分割点就是上下沿),从这里分隔开两个传输周期。

  这样做的好处是,由于各数据信号都会有一个逻辑电平保持周期,即使发送时不同步,在DQS上下沿时都处于保持周期中,此时数据接收触发的准确性无疑是最高的。
发表于 2012-5-25 15:04:29 | 显示全部楼层
回复 60# shenqizhiren


   timing都对么?prechage,refresh, tccd都对了么?如果一个transfer太长,也别忽略了要换page的
发表于 2012-5-25 15:05:50 | 显示全部楼层
读时DQS延一个90度再进来,把它当load信号。注意:DQS刚起来是有个小小的脉冲,记得mask掉,不然会读错
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