为什么PMOS的ESD表现要比NMOS好呢？

lianaissmec · 发表于 2016-2-24 16:54:44

回复 17# lihaiqi208

不同的工艺节点ESD防护电路的结构不同，在0.25um及以上的工艺节点时，由于那时的沟道长度比较长，内部电路本身耐静电的能力强，虽然使用在端口上的二极管的静电防护能力不强，但是也能满足当时的需求，随着工艺的发展，在0.25微米工艺以下，在端口附近既有使用P管又有使用N管做静电防护的。

我力可 · 发表于 2016-3-9 17:19:36

应该反过来的

为什么PMOS的ESD表现要比NMOS好呢？

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