在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1268|回复: 0

[全新] 原装正品 CSD18532Q5B N沟道晶体管

[复制链接]
发表于 2018-11-8 13:43:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
CSD18532Q5B N沟道晶体管:
一,规格:
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
58nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5070pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN


二,特征:
超低Qg和Qgd
低热阻
通过雪崩评级
逻辑水平
无铅端子电镀
符合RoHS标准
无卤素
SON 5毫米×6毫米塑料封装

三,应用:
DC-DC转换
次级侧同步整流器
隔离式转换器初级侧开关
电机控制


四,说明:
这款2.5mΩ,60V SON 5 mm×6 mm NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。

如需了解更多详情,欢迎联系星际金华实业有限公司,工作人员将为您服务!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-29 18:54 , Processed in 0.015873 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表