场氧化层的作用

苏沐 · 发表于 2017-11-28 18:23:33

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在制作MOS时，一般会先做一个场氧化层，我想问做这层场氧化层的作用是什么？是否和确定有源区有关？

maomao198477 · 发表于 2017-11-28 23:39:43

看看书看看书

丰行 · 发表于 2017-11-29 09:54:23

看书看书

lzq11878 · 发表于 2017-12-4 21:10:47

还是多看看书啊

wmd201409 · 发表于 2017-12-5 08:48:03

主要是改善MOS管性能，外加防止latch-up，半导体器件上应该有

lichq · 发表于 2017-12-5 11:45:41

latch-up

yuanpin318 · 发表于 2018-11-19 23:22:57

指一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可以起到隔离晶体管的作用

有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶硅连线多做在场区上

CMOS工艺中的场区（即晶体管以外的区域）需要较厚的氧化层，目的是提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离；同时减小金属层或多晶硅与硅衬底之间的寄生电容。但仅靠增加场氧的厚度仍不能满足对场开启的要求（即满足场在器件正常工作时不可能开启的要求），还要对场区进行注入，增加场区的掺杂浓度，阻止沟道的生成，进一步提高开启电压

[求助] 场氧化层的作用

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