高通骁龙855将采用台积电7纳米

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高通骁龙855将采用台积电7纳米
据外媒报导，全球手机芯片龙头高通（Qualcomm）正努力研发新一代骁龙（Snapdragon）855移动平台，将由台积电以7纳米制程代工生产，预计2019年上市。法人认为，一旦高通顺利转单，将有利台积电2019年营运动能。

市场对高通旗舰芯片订单即将转回台积电早有预期，高通高层就曾在说明与台湾供应链的合作关系时表示，双方于2005年起合作65纳米，一路到45纳米和28纳米、FinFET制程。由于台积电下一个FinFET制程就是7纳米，外界早已肯定高通7纳米将会转投台积电。

高通骁龙800系列移动平台属于最高阶产品线，往往是各大手机厂旗舰机种使用的主芯片，法人预期，当高通顺利转单，将有利台积电未来营运动能。

外电引用高通一位工程师在LinkedIn的个人资料显示，目前正在从事“sdm845”和“sdm855”的开发及调测工作，并认为这两个英文缩写很可能分别代表骁龙行动平台845和855芯片。骁龙845芯片内部代号为Napali v2.0，骁龙855则称为Hana v1.0；目前高通在开发用于骁龙845的Linux内核驱动程式，预订明年初上市，预期南韩三星Galaxy S9和Galaxy S9 Plus可能是最早搭配这颗芯片的手机。


10nm的骁龙845更像是7nm工艺节点的骁龙855的前身。在进入1x纳米时代后，高通的旗舰芯片合作对象转向三星，已由三星以14纳米生产骁龙820、采10纳米代工今年主打的骁龙835等，7纳米才又转回台积电生产。业内人士曾表示，高通公司尤其关注机器学习和综合人工智能应用，其即将推出的骁龙845可能会为明年发布的各种安卓旗舰提供支持，包括Galaxy Note 9、HTC(U)12，还可能会涵盖Pixel 3系列。

张学胜

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