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查看: 1941|回复: 7

[讨论] 存储器的讨论,Flash是什么货色?有什么独门秘籍?

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发表于 2017-9-8 17:32:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1.DDR3是存储芯片,一般是作为FPGA的外设,读写速度非常快,例如电脑的内存条就是DDR3,比较好理解。

2.FPGA内部会有ROM,只能读取,不能写入,但是可以初始化,容易理解。
FPGA内部会有RAM,可读可写,容易理解。
这里我有一个问题,就是ROM与RAM的速度相比怎样,泛泛的说,RAM快,但是因为是FPGA内部,因此速度就是时钟说了算,意思就是速度一样。我不知道我的理解有没有问题。

3.还有就是SD卡了,尴尬了,手机里面有SD卡,速度肯定比不过DDR3,也就是做一个一般的存储器,掉电数据不会丢失。

4.Flash是什么东西,有两种类型,一般往往会听到把程序下载到Flash中,程序不会丢掉。
我的问题是FPGA内会集成Flash吗?
还有Flash一般是一块芯片吗?作为外设出现的情况多吗?什么时候用它?
Flash有什么特殊之处,它跟SD卡有什么区别,Flash好神秘,它有什么独门秘籍?

欢迎大家给我上一堂课,不要专业的术语,抄段子,说出你的故事,你的理解。
发表于 2017-9-8 19:09:53 | 显示全部楼层
存储器按照常见介质类型分类:SRAM,ROM,DRAM,flash。

SRAM和ROM就是你上面理解的,比较常见,可以集成进FPGA内或者SOC芯片内。

DRAM,需要动态刷新保持数据,就是你说PC端的DDR3、DDR4等,还有移动设备如手机上的LPDDR4,它们都是芯片外的存储器,主要厂家是三星,美光。

FLASH,掉电数据不会丢失,分成NOR-FLASH和NAND-FLASH两种,NOR-FLASH主要用于程序存储,主要厂家是intel,常说的下载程序到片内flash一般是NOR-FLASH;NAND-FLASH主要用于高容量数据存储,主要厂家还是三星美光现代,一般都是独立封装,不会集成在SOC芯片内。裸片的NAND-FLASH仅仅具备存储功能,是需要外加控制器和纠错码以及磨损平衡控制等才能使用的。

之前华为手机闪存门说的eMMC5.1,UFS2.1,它们的存储介质都是NAND-FLASH,只是包装了不同的控制器和接口从而得到不同的闪存标准,使得闪存读写速度存在差异,常说手机自带的32G/64G容量,指的就是这个。

还有你说的SD卡,它的存储介质也是NAND-FLASH,是比eMMC5.1和UFS2.1速度更低的一种标准,数码相机行车记录仪手机外扩卡都是用的SD卡/TF卡标准。

SSD硬盘的存储介质也是NAND-FLASH,外加上了SATA的接口和控制。

简要说这些,希望能帮到你。
 楼主| 发表于 2017-9-8 20:09:26 | 显示全部楼层
回复 2# 杰克淡定


    谢谢您的回答,非常有用,我得到了我想要的知识。
发表于 2017-9-8 21:56:36 | 显示全部楼层
Flash主要有Nand与Nor,Nor一般作启动(因为读出快,写入慢),Nand一般作存储(因为写入快,读出慢)。
发表于 2017-9-27 15:16:48 | 显示全部楼层
回复 2# 杰克淡定
说的挺好
发表于 2017-9-28 01:19:45 | 显示全部楼层
优点多了去了。比如:
【1】Flash从工艺上,在相同成本,相同“面积”,相同功耗,相同稳定性下,可以在物理上实现大得多的存储规模
【2】Flash的存储单元在误码数据分布上接近交叉高斯分布,(有点类似OFDM),因此可以非常有效的匹配最前沿的ECC解码体系,尤其比如基于LLR的LDPC。这对大数据鲁棒性是极其关键的属性
 楼主| 发表于 2017-9-29 10:10:53 | 显示全部楼层
回复 6# masaka_xlw


    谢谢您的回复,第一条是讲,存储密度大,又很经济,因此应用广泛也就不足为奇了。
第二条是讲,它的鲁棒性很好。
下面说一说鲁棒性,一听这三个字我就想笑。鲁棒性是我见过的所有英文翻译之中, 翻译的最为低劣和恶趣味的一个词,三个字,每个字都,唉。
那么应该翻译成什么才会更好,顽强性,抗压性,都挺好的。
发表于 2017-9-30 05:35:09 | 显示全部楼层
回复 7# qiurijian

才注意,又是你。。哈哈。 应该去eetop娱乐版
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