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查看: 2507|回复: 9

[求助] 求助深n阱的添加方法?

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发表于 2017-5-16 23:34:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想给RF的MOS管周围加上深n阱,以隔离噪声等,是自己手动画上去还是有什么其他的方法?谢谢。
发表于 2017-5-17 08:38:15 | 显示全部楼层
应该是要手画,还要注意design rule及well电位等。
LZ是说“RF的MOS管周围加上深n阱”,把RF device都做在深n阱里面应该会更好吧!
发表于 2017-5-17 09:54:37 | 显示全部楼层
有些 PDK 有 元件 ,
沒有的話就自己加了
 楼主| 发表于 2017-5-17 10:27:04 | 显示全部楼层
回复 2# Snowy2016
谢谢你的回答,那你说的RF device具体是指些什么呢,是不是包括电感,电容之类的(我用的电容是普通的MIM电容,不是rf的好像)
 楼主| 发表于 2017-5-17 10:51:51 | 显示全部楼层
回复 3# motofatfat
好的,我懂了,谢谢
发表于 2017-5-18 08:53:42 | 显示全部楼层
回复 4# 小小L

就是你RF模块里面所有的器件,因为你的标题里面只写到MOS,还有可能有电阻、电容等,都一起放深N well里面。即使RF模块里面你用的是普通的MIM电容,如果它们工作在高频高速条件下,产生的noise仍会影响到别的模块。
发表于 2017-5-18 09:50:59 | 显示全部楼层




   放在深井里,模型也要跟着变吧?
 楼主| 发表于 2017-5-18 11:27:39 | 显示全部楼层
回复 6# Snowy2016
这样啊,我做的是单片的LNA,是不是最好也要分别对各个器件进行深N阱的隔离呢?感谢回答。
发表于 2017-5-19 08:48:19 | 显示全部楼层
回复 7# 大力射门

有可能,根据制程实际情况吧!如果要变,那就要和designer沟通看是否有必要了,并且这种RF的模块一般都要跑后仿确认性能是否OK。
发表于 2017-5-19 08:51:30 | 显示全部楼层
回复 8# 小小L

对各个器件隔离应该不太需要吧!可以和designer讨论,根据实际工作频率、功能等是否需要分模块隔离,也或许都放在一个深N well里面也还好,case to case吧,取决于实际情况。
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