在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2649|回复: 5

[求助] ESD求助

[复制链接]
发表于 2017-4-24 11:30:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一输入输出端口I,最大电压为16V,挂载的ESD开启电压设计为18V,同时该端口通过一个二极管连接的NMOS器件连入内部(接法为:该端口接G/S,使用的PN结为D和B。另外,S端做了ESD的规则处理,D端未做ESD的规则处理),该NMOS的D/S击穿电压为19V。理论上来说ESD器件可以对该NMOS进行比较好的保护,但是在ESD的实际测试时发现,在1kV的时候,该NMOS器件已经被损坏。请问是什么原因导致出现这种现象?如果要提高该NMOS器件的ESD承受能力,要对该器件进行如何处理(将G悬浮会不会好一些)?
 楼主| 发表于 2017-4-25 09:55:37 | 显示全部楼层
来个大神帮忙解惑啊
发表于 2017-4-27 14:18:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 存在感 于 2017-4-27 14:20 编辑

回复 1# randysong

请问什么是理论能保护你的Nmos.请说明你的ESD环路架构,说明你的打ESD  时是如何打法,以哪中测试模式来打。
这些没清楚之前 不好判断你的失效原因。
另外你的这么Nmos 是怎么接的 S G 短接? B接gound ? D 接PAD和内部电路?
这个Nmos 的用意是什么?····不管你的用意 好像你的处理是错误的,为嘛是S端做ESD处理。


据个人猜测可能是你的环路结构不好,(这里成因好多种具体不好判断)导致ESD泄放通路不好导致你的这个Nmos 放电,但Nmos 自身电流能力又不够那么就烧了。
如果你的S/G短路后悬空 这里可能会发生latchup ,但不清楚你周边环境 这里只是怀疑。


总的来说 两个主要怀疑方向,一个是环路,一个是自身器件。
发表于 2017-4-30 11:59:05 | 显示全部楼层
如果是gate损坏,检查length是否合理,再有考虑在gate上串个电阻;
如果是source/drain损坏,检查width是否合理,检查布线是否合理。
原因很多,得一点点排除。
发表于 2017-5-2 14:21:33 | 显示全部楼层
先接一个 二极管 然后接nmos? 二极管是esd nmos 是内部普通器件吗?
发表于 2017-5-2 14:23:18 | 显示全部楼层
如果nmos是esd s端做esd处理 是几个意思? d端接I/O pad的没处理吗? 觉得 你这esd 姑且不如楼上说的 先不管测试模式 哪种esd 觉得你可能要重新描述下!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-29 15:20 , Processed in 0.023118 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表