诚心请教画dummy的办法

awp666 · 发表于 2017-4-16 17:58:45

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首先我看书了，没找到具体的解释。
另外也从网上查了不少资料，存在着有出入的解释。所以一头雾水，在此请教一下

1、dummy是直接在mos两旁多画metal，还是用guard ring或者其他的方式来画？
在这个论坛里，有人说：
a.给MOS器件周围添加dummy时，dummy器件的四端怎么处理？——这就是说dummy就是直接一个MOS管
b. 一般都是小方块金属——这回dummy又变成了小块金属，dummy metal fill说的就是填充金属吧？
c. 在MOS　两侧增加dummy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring　连接VSS，接着加N　type guard ring　连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P　type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。
----------这样dummy就变成了poly,而且还是用guard ring来做

2、dummy是我在一开始画layout的时候就画，还是再最后出版图的时候，由cadence或者是fab厂家自动生成。
如果是自动生成的，那我只需要留够地方就可以了吧

上面这些不同的说法，哪个是准确的？

Snowy2016 · 发表于 2017-4-17 09:13:28

本帖最后由 Snowy2016 于 2017-4-18 08:29 编辑

Dummy有dummy layer（就像你说的dummy metal）和dummy device（MOS、CAP、BJT等）：
1、Dummy layer—主要是为了density和均匀性问题，目的是为了满足生产需要、良率等。Dummy layer的画法fab一般会提供rule（大小、距离等）或者脚本。
2、Dummy device—主要目的是为了匹配，缓解温度、制程差异等导致的offset。Dummy device的画法最好在match group的周围加一圈与其大小一致的device，dummy device的接法要保证他们不会影响到电路的function，比较说dummy MOS可以四端short。有时出于面积等因素的考量，dummy device的size会适当的缩小，dummy MOS甚至可能画成仅dummy POLY。还有一些dummy device可能是为了后期ECO改版等目的，最好根据designer的要求去画。
个人见解，希望对你有帮助。