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Need R3D lic

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发表于 2017-3-30 20:27:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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I need R3D license to preform Rdson simulation.Anyone can provide such license?  thanks,
发表于 2017-3-30 20:42:55 | 显示全部楼层
Where is the installer?
发表于 2017-4-18 08:55:49 | 显示全部楼层
回复 1# joseph986

I need it too.
发表于 2017-4-20 10:53:00 | 显示全部楼层
回复 1# joseph986

R3D : 1 extracted device instances found matching "r3d_channel" command with "device=p"

R3D : 1 extracted device instances found matching "r3d_channel" command with "device=n"

From CCI: for device "n": NG=1 L=7e-08, Wtot=5e-07



R3DSTAT: points total 694

R3DSTAT: Di 1 Drn pnts 6 Src pnts 6 Via pnts 4 Tot W 0.5 Tot CA 0.02 Tot G 4 Tot VA 0 Tot VG 0

Layer 5 (DIFF) points 24
Layer 7 (METAL1) points 670


Layer resistivities and thicknesses:

Layer          METAL1 r [Ohm/sq]  =       0.05         t     [um]  =        0.2


Start solution

Using channel:  device: n  resistance: 5000

IMS ordering...
IMS Ordering: wall:0.1s(0.9s), cpu:0.0s(0.8s), vmem:0M(257M)
IMS factorization...
IMS factorization: wall:0.1s(0.9s), cpu:0.0s(0.8s), vmem:0M(257M)
Current_[A]: s1: -9.9986e-06 d1: 9.9986e-06  S/D: -9.9986e-06   

Rdson_[Ohm] = 10001.4

Writing data to nmos_org.dat file, R3DDRAW version 207


---------------------------------------------------------------
Table of resistive components contributions to Rdson (in Ohms)
---------------------------------------------------------------
Component   Type   Res_[Ohm]   Source_[Ohm]  Drain_[Ohm]      
---------------------------------------------------------------
DIFF          MET  0.0197799    0.00989838   0.00988153   
METAL1        MET  0.404327     0.202616     0.201711     
DCONT         VIA  1.00041      0.50017      0.500236     
s1            TC   0            
d1            TC   0            
---------------------------------------------------------------
Interconnects ALL  1.42451        0.712684       0.711828      
channel       DEV  10000         
Total Rdson        10001.4        
===============================================================
Extracted channel/gate width    [um]: 0.5
Average channel resistivity [Ohm*um]: 5000
---------------------------------------------------------------


----------------------------------------------------
        Top contact information
----------------------------------------------------
Name          V_[V]         I_[A]      Node_name
----------------------------------------------------
s1            0           -9.99858e-06 src         
d1            0.1          9.99858e-06 drn         
----------------------------------------------------
Processed 1 segment: wall:0.9s, cpu:0.9s+0.0s, vmem:140M
Solving nmos_org.cfg: wall:0.7s(0.9s), cpu:0.8s(0.9s), vmem:23M(140M)
------------------------------------------------------
SIMULATION COMPLETED WITH 2 WARNINGS, CHECK LOG FILE.
[user01@node05 r3d_CCI_flow]$ cd /eda/R3D/SFT_ROOT/examples/r3d_tutorials/r3d_EM_analysis
[user01@node05 r3d_EM_analysis]$ ls
README   layout.gds  p2lvsfile  r3d_EM_analysis.cfg  r3d_tutorial.rule.lyp
emrules  limits.txt  procfile   r3d_tutorial.rule    tutorial.html
[user01@node05 r3d_EM_analysis]$ r3d r3d_EM_analysis.cfg
*******************************************************************************
                        R3D Version 2016.1 Linux 64-bit
                        Build 21, Sep 17 2016, 02:00:56
           Copyright (c) 2007-2016 Silicon Frontline Technology Inc.
*******************************************************************************


Running on node05 (2 CPUs, 2005 MB).
Command line: /eda/R3D/SFT_ROOT/plat/Linux2.6-x86_64/bin/r3d r3d_EM_analysis.cfg

Using 1 local thread.

Reading rc file "/eda/R3D/SFT_ROOT/etc/r3drc"...
         r3d_solver      2
Reading control file "r3d_EM_analysis.cfg"...
         input           layout.gds
         techfile        procfile p2lvsfile
         rulefile        r3d_tutorial.rule
         r3d_start_layer         metal1
         r3d_end_layer   metal3
         r3d_mesh_for_device     size=2.0
         r3d_mesh_for_cont       size=2.0
         r3d_mesh_for_via        dx=1. dy=1.
         r3d_mesh_for_top_contacts       40
         r3d_device_resistance   5000.0
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=0. yc=73. dx=20. dy=20. r=0. source name=s1 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=-30. yc=73. dx=20. dy=20. r=0.01 source name=s2 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=30. yc=73. dx=20. dy=20. r=0.02 source name=s3 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=0. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0 drain name=d1 circular node=drn
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=-30. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0.03 drain name=d2 circular node=drn
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=30. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0.05 drain name=d3 circular node=drn
         r3d_dat_file    1
         r3d_rdson_table
         viagr           0
Reading include file "emrules"...
         em_rule         type=metal name=metal1 jpeak=0.002 lrn=231
         em_rule         type=metal name=metal2 jpeak=0.002 lrn=232
         em_rule         type=metal name=metal3 jpeak=0.010 lrn=233
         em_rule         type=via name=via1 jpeak=0.004 lrn=241
         em_rule         type=via name=via2 jpeak=0.004 lrn=242
         em_rule         type=via name=diff_cont jpeak=0.004 lrn=240
         r3d_total_current       1.0
                Using default mode:  'adjust=linear'.

Checking out license...
Checkout succeeded: SOLVE_BASE/0FC1 8019 BB2A 165C
        License file: /eda/R3D/SFT_ROOT/license/license.lic
        No server used
Checkout succeeded: SOLVE_R3D_ANALYSIS/0FC1 8019 BB2A 165C
        License file: /eda/R3D/SFT_ROOT/license/license.lic
        No server used



=================================
    INPUT STATS

Cell           Polygons (Flat)
-------------- ----------------
array2                2 (20119)
via2                  1     (1)
big_row_sd            0  (2952)
big_row_drain         1  (1465)
via1                  0    (22)
noname_1             22    (22)
big_row               2  (1024)
row                   0   (250)
unit                  3    (25)
contacts             22    (22)
big_row_source        1  (1487)
=================================

Input reading: wall:0.6s(0.8s), cpu:0.6s(0.8s), vmem:4M(140M)
Size of global state: 0.2 MB
Persistence check: wall:0.1s(0.9s), cpu:0.2s(0.9s), vmem:7M(147M)
Input preprocessing: wall:0.0s(0.9s), cpu:0.1s(0.9s), vmem:0M(147M)

*******************************************************************************
                    Top cell is set to 'array2'
*******************************************************************************
Flattening: wall:0.1s(1.0s), cpu:0.1s(0.9s), vmem:3M(188M)
Total number of nets:43
CKTSTAT: Number of devices            : 40
CKTSTAT: Number of nets               : 42
CKTSTAT: Number of polygons(non-ort)  : 21289(2)
CKTSTAT: Number of points             : 85172

=============================================
    DEVICE STATS

Type Name     Seed      modelName Instances
---- -------- --------- --------- ---------
M    MN(nmos) gate_poly nmos             40
=============================================

Preprocessing: wall:1.7s(2.6s), cpu:1.7s(2.5s), vmem:59M(206M)
Start layer metal1 found (# 7)
End layer metal3 found (# 11)


R3DSTAT: points total 153510

R3DSTAT: Di 40 Drn pnts 1180 Src pnts 1239 Via pnts 9020 Tot W 4600 Tot CA 1127.5 Tot G 1127.5 Tot VA 1903 Tot VG 7612

Layer 5 (diff) points 11521
Layer 7 (metal1) points 46330
Layer 9 (metal2) points 39000
Layer 11 (metal3) points 56659


Layer resistivities and thicknesses:

Layer          metal1 r [Ohm/sq]  =       0.05         t     [um]  =        0.7
Layer            via1 r [Ohm/via] =          1     unit_area [um2] =       0.25
Layer          metal2 r [Ohm/sq]  =       0.05         t     [um]  =        0.7
Layer            via2 r [Ohm/via] =          1     unit_area [um2] =       0.25
Layer          metal3 r [Ohm/sq]  =       0.01         t     [um]  =        3.5


Start solution


IMS ordering...
IMS Ordering: wall:2.1s(5.7s), cpu:2.2s(5.6s), vmem:4M(353M)
IMS factorization...
IMS factorization: wall:3.4s(9.5s), cpu:3.4s(9.3s), vmem:0M(457M)
Current_[A]: s1: -0.072206 s2: -0.010789 s3: -0.007079 d1: 0.081765 d2: 0.004938 d3: 0.003371  V1: 0.090074 -0.090074  V2: 0.090074 -0.090074  S/D: -0.090074   

Rdson_[Ohm] = 1.1102


*************************************************************
R3D results are linearly scaled from Ids=0.090074A to Ids=1A.
Top contact voltages and current after rescaling:

Name         Voltage [V]    Current [A]
----         -----------    -----------
s1           0              -0.801632   
s2           0              -0.119777   
s3           0              -0.0785912  
d1           1.1102         0.907753   
d2           1.1102         0.0548218   
d3           1.1102         0.0374248   
*************************************************************

Writing data to r3d_EM_analysis.dat file, R3DDRAW version 207

*************************************************************
        Current density verification:

EM_RULE VIOLATIONS:  5   --  check the report file(s):
                             r3d_EM_analysis.em_report
                             GDS__r3d_EM_analysis/SD.gds.gz

*************************************************************


---------------------------------------------------------------
Table of resistive components contributions to Rdson (in Ohms)
---------------------------------------------------------------
Component   Type   Res_[Ohm]   Source_[Ohm]  Drain_[Ohm]      
---------------------------------------------------------------
diff          MET  0.00026936   0.000133608  0.000135753  
metal1        MET  0.00148675   0.000738474  0.000748274  
metal2        MET  0.0012088    0.000557409  0.000651388  
metal3        MET  0.0131283    0.00641618   0.00671208   
diff_cont     VIA  0.00361167   0.00178295   0.00182872   
via1          VIA  0.00189949   0.000938019  0.000961467  
via2          VIA  0.00119244   0.000578912  0.000613524  
s1            TC   0            
s2            TC   0.000143466  
s3            TC   0.000123533  
d1            TC   0            
d2            TC   9.01644e-05  
d3            TC   7.00317e-05  
---------------------------------------------------------------
Interconnects ALL  0.0232239      0.0114125      0.0118114      
channel       DEV  1.08697        
Total Rdson        1.1102         
===============================================================
Extracted channel/gate width    [um]: 4600
Average channel resistivity [Ohm*um]: 5000.08
---------------------------------------------------------------


----------------------------------------------------
        Top contact information
----------------------------------------------------
Name          V_[V]         I_[A]      Node_name
----------------------------------------------------
s1            0           -0.801632    src         
s2            0           -0.119777    src         
s3            0           -0.0785912   src         
d1            1.1102       0.907753    drn         
d2            1.1102       0.0548218   drn         
d3            1.1102       0.0374248   drn         
----------------------------------------------------
Processed 1 segment: wall:13.7s, cpu:13.3s+0.0s, vmem:220M
Solving r3d_EM_analysis.cfg: wall:13.5s(13.7s), cpu:13.1s(13.3s), vmem:84M(220M)
[user01@node05 r3d_EM_analysis]$ r3d r3d_EM_analysis.cfg
*******************************************************************************
                        R3D Version 2016.1 Linux 64-bit
                        Build 21, Sep 17 2016, 02:00:56
           Copyright (c) 2007-2016 Silicon Frontline Technology Inc.
*******************************************************************************


Running on node05 (2 CPUs, 2005 MB).
Command line: /eda/R3D/SFT_ROOT/plat/Linux2.6-x86_64/bin/r3d r3d_EM_analysis.cfg

Using 1 local thread.

Reading rc file "/eda/R3D/SFT_ROOT/etc/r3drc"...
         r3d_solver      2
Reading control file "r3d_EM_analysis.cfg"...
         input           layout.gds
         techfile        procfile p2lvsfile
         rulefile        r3d_tutorial.rule
         r3d_start_layer         metal1
         r3d_end_layer   metal3
         r3d_mesh_for_device     size=2.0
         r3d_mesh_for_cont       size=2.0
         r3d_mesh_for_via        dx=1. dy=1.
         r3d_mesh_for_top_contacts       40
         r3d_device_resistance   5000.0
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=0. yc=73. dx=20. dy=20. r=0. source name=s1 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=-30. yc=73. dx=20. dy=20. r=0.01 source name=s2 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.0 xc=30. yc=73. dx=20. dy=20. r=0.02 source name=s3 circular node=src
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=0. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0 drain name=d1 circular node=drn
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=-30. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0.03 drain name=d2 circular node=drn
         r3d_top_contact         v=0.1 xc=30. yc=-70. dx=20. dy=20. r=0.05 drain name=d3 circular node=drn
         r3d_dat_file    1
         r3d_rdson_table
         viagr           0
Reading include file "emrules"...
         em_rule         type=metal name=metal1 jpeak=0.002 lrn=231
         em_rule         type=metal name=metal2 jpeak=0.002 lrn=232
         em_rule         type=metal name=metal3 jpeak=0.010 lrn=233
         em_rule         type=via name=via1 jpeak=0.004 lrn=241
         em_rule         type=via name=via2 jpeak=0.004 lrn=242
         em_rule         type=via name=diff_cont jpeak=0.004 lrn=240
         r3d_total_current       1.0
                Using default mode:  'adjust=linear'.

Checking out license...
Checkout succeeded: SOLVE_BASE/0FC1 8019 BB2A 165C
        License file: /eda/R3D/2015.1/license/license.lic
        No server used
Checkout succeeded: SOLVE_R3D_ANALYSIS/0FC1 8019 BB2A 165C
        License file: /eda/R3D/2015.1/license/license.lic
        No server used



=================================
    INPUT STATS

Cell           Polygons (Flat)
-------------- ----------------
array2                2 (20119)
via2                  1     (1)
big_row_sd            0  (2952)
big_row_drain         1  (1465)
via1                  0    (22)
noname_1             22    (22)
big_row               2  (1024)
row                   0   (250)
unit                  3    (25)
contacts             22    (22)
big_row_source        1  (1487)
=================================

Input reading: wall:0.6s(0.8s), cpu:0.7s(0.8s), vmem:4M(140M)
Size of global state: 0.2 MB
Persistence check: wall:0.1s(0.9s), cpu:0.1s(0.8s), vmem:7M(147M)
Input preprocessing: wall:0.0s(0.9s), cpu:0.1s(0.9s), vmem:0M(147M)

*******************************************************************************
                    Top cell is set to 'array2'
*******************************************************************************
Flattening: wall:0.1s(1.0s), cpu:0.1s(0.9s), vmem:3M(188M)
Total number of nets:43
CKTSTAT: Number of devices            : 40
CKTSTAT: Number of nets               : 42
CKTSTAT: Number of polygons(non-ort)  : 21289(2)
CKTSTAT: Number of points             : 85172

=============================================
    DEVICE STATS

Type Name     Seed      modelName Instances
---- -------- --------- --------- ---------
M    MN(nmos) gate_poly nmos             40
=============================================

Preprocessing: wall:1.7s(2.6s), cpu:1.7s(2.5s), vmem:59M(206M)
Start layer metal1 found (# 7)
End layer metal3 found (# 11)


R3DSTAT: points total 153510

R3DSTAT: Di 40 Drn pnts 1180 Src pnts 1239 Via pnts 9020 Tot W 4600 Tot CA 1127.5 Tot G 1127.5 Tot VA 1903 Tot VG 7612

Layer 5 (diff) points 11521
Layer 7 (metal1) points 46330
Layer 9 (metal2) points 39000
Layer 11 (metal3) points 56659


Layer resistivities and thicknesses:

Layer          metal1 r [Ohm/sq]  =       0.05         t     [um]  =        0.7
Layer            via1 r [Ohm/via] =          1     unit_area [um2] =       0.25
Layer          metal2 r [Ohm/sq]  =       0.05         t     [um]  =        0.7
Layer            via2 r [Ohm/via] =          1     unit_area [um2] =       0.25
Layer          metal3 r [Ohm/sq]  =       0.01         t     [um]  =        3.5


Start solution


IMS ordering...
IMS Ordering: wall:2.2s(5.7s), cpu:2.2s(5.6s), vmem:4M(353M)
IMS factorization...
IMS factorization: wall:3.4s(9.4s), cpu:3.4s(9.3s), vmem:0M(457M)
Current_[A]: s1: -0.072206 s2: -0.010789 s3: -0.007079 d1: 0.081765 d2: 0.004938 d3: 0.003371  V1: 0.090074 -0.090074  V2: 0.090074 -0.090074  S/D: -0.090074   

Rdson_[Ohm] = 1.1102


*************************************************************
R3D results are linearly scaled from Ids=0.090074A to Ids=1A.
Top contact voltages and current after rescaling:

Name         Voltage [V]    Current [A]
----         -----------    -----------
s1           0              -0.801632   
s2           0              -0.119777   
s3           0              -0.0785912  
d1           1.1102         0.907753   
d2           1.1102         0.0548218   
d3           1.1102         0.0374248   
*************************************************************

Writing data to r3d_EM_analysis.dat file, R3DDRAW version 207

*************************************************************
        Current density verification:

EM_RULE VIOLATIONS:  5   --  check the report file(s):
                             r3d_EM_analysis.em_report
                             GDS__r3d_EM_analysis/SD.gds.gz

*************************************************************


---------------------------------------------------------------
Table of resistive components contributions to Rdson (in Ohms)
---------------------------------------------------------------
Component   Type   Res_[Ohm]   Source_[Ohm]  Drain_[Ohm]      
---------------------------------------------------------------
diff          MET  0.00026936   0.000133608  0.000135753  
metal1        MET  0.00148675   0.000738474  0.000748274  
metal2        MET  0.0012088    0.000557409  0.000651388  
metal3        MET  0.0131283    0.00641618   0.00671208   
diff_cont     VIA  0.00361167   0.00178295   0.00182872   
via1          VIA  0.00189949   0.000938019  0.000961467  
via2          VIA  0.00119244   0.000578912  0.000613524  
s1            TC   0            
s2            TC   0.000143466  
s3            TC   0.000123533  
d1            TC   0            
d2            TC   9.01644e-05  
d3            TC   7.00317e-05  
---------------------------------------------------------------
Interconnects ALL  0.0232239      0.0114125      0.0118114      
channel       DEV  1.08697        
Total Rdson        1.1102         
===============================================================
Extracted channel/gate width    [um]: 4600
Average channel resistivity [Ohm*um]: 5000.08
---------------------------------------------------------------


----------------------------------------------------
        Top contact information
----------------------------------------------------
Name          V_[V]         I_[A]      Node_name
----------------------------------------------------
s1            0           -0.801632    src         
s2            0           -0.119777    src         
s3            0           -0.0785912   src         
d1            1.1102       0.907753    drn         
d2            1.1102       0.0548218   drn         
d3            1.1102       0.0374248   drn         
----------------------------------------------------
Processed 1 segment: wall:13.6s, cpu:13.3s+0.0s, vmem:220M
Solving r3d_EM_analysis.cfg: wall:13.4s(13.6s), cpu:13.2s(13.3s), vmem:84M(220M)
[user01@node05 r3d_EM_analysis]
发表于 2018-6-5 16:41:13 | 显示全部楼层
回复 1# joseph986
You may use VoltusFi[tr][/tr]




发表于 2018-6-15 15:31:20 | 显示全部楼层
who have installer?I can make license free.
发表于 2020-11-12 21:35:09 | 显示全部楼层


designstart 发表于 2017-4-20 10:53
回复 1# joseph986

R3D : 1 extracted device instances found matching "r3d_channel" command with "de ...


您好!Silicon Frontline R3D EM分析软件可以共享一下吗?仅学习用。非常感谢!
发表于 2022-6-6 16:17:00 | 显示全部楼层


designstart 发表于 2017-4-20 10:53
回复 1# joseph986

R3D : 1 extracted device instances found matching "r3d_channel" command with "de ...


R3D怎么用的?研究半天,没有研究明白
发表于 2022-11-8 15:31:54 | 显示全部楼层
请问下沟道电阻值事先根据电路给的填好后,run了第一次,需要将cfg文件里的沟道电阻值根据run的结果修改吗
发表于 2022-11-18 10:49:45 | 显示全部楼层
看看是什么东西。
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