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查看: 5511|回复: 9

[解决] 请教各位大神28nm layout的设计问题 谢谢谢谢谢谢

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发表于 2017-2-21 16:13:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 willtonchan 于 2017-2-22 11:49 编辑

各位大神好,本人小白刚刚接触28nm工艺layout的设计。最近想先从反相器入手,所以就调用了SMIC 28nmPDK下的PMOS和NMOS版图,然后进行poly,metal1连线(包含打通孔),加标签。但是进行DRC时老是报两个关于poly的错误,错误的具体信息如下:Check GT_48   (((Poly NOT P2) NOT INSIDE (DG OR TG) must be rectangle or L-shape.
                      DRC doesn’t check FUSEMK1, NODMF, LOGO,INST and RFSRAM region.
Check GT_49    ((((Poly NOT P2) OUTSIDE (DG OR TG)) INTERACT AA)) must be rectangle.
                      DRC doesn’t check FUSEMK1 , INST and RFSRAM region.
查阅了SMIC给的DRC rule文件,DG和TG分别为1.8V和2.5V的IO器件。P2为Poly trim slot。



我画的版图如下图所示,出现错误的地方也放大截图了。按照错误的信息来看,poly必须为矩形,这样的话是不是以为着MOS的沟道长度受限于通孔的最小尺寸。麻烦各位大神帮忙看一下,谢谢。

inv_layout

inv_layout




DRC_violation

DRC_violation

发表于 2017-2-21 17:32:15 | 显示全部楼层
poly形状错了。
48的意思是除了TG和DG器件外,poly形状必须是矩形或者L形。
49的意思是除了TG和DG器件外,其他与act重叠的poly(mos或者mos cap),形状必须是矩形。
 楼主| 发表于 2017-2-21 17:51:32 | 显示全部楼层
回复 2# fzu_physics


   感谢你的回复。我发现这个错误后也对poly的形状进行了改变,但是老是会提示不是矩形的错误。因为NMOS和PMOS的poly相连后需要打通孔加标签,打了通孔就会使得poly形状不为矩形。因为我这张图的MOS沟道宽度为30nm,通孔最小边长为100nm,没法完全把通孔放在poly里面。
发表于 2017-2-22 08:59:50 | 显示全部楼层
回复 3# willtonchan

我也没接触过28nm的工艺,但是这样的限制,按我的理解是除了IO器件外,其他的mos栅长最小尺寸必须在能包裹cont,也就是你栅长太小了,要么加大栅长尺寸,要么加上额外的层使其能被辨别成IO器件。
不知道你那design rule里关于栅长是不是有这样的约束?
发表于 2017-2-22 09:57:49 | 显示全部楼层
cont.png 红色contact,蓝色poly 回复 1# willtonchan
 楼主| 发表于 2017-2-22 10:29:31 | 显示全部楼层
回复 4# fzu_physics


   谢谢你的帮助,刚才5楼给了提示。因为我之前用的都是via,而没有用contact连接poly和m1,使用contact后就没有报错了。
 楼主| 发表于 2017-2-22 10:30:35 | 显示全部楼层
回复 5# mangoch


   谢谢你的提醒,现在DRC不报这个错误了,感谢!
发表于 2017-2-22 14:02:08 | 显示全部楼层
额eeeeeeeeeee
发表于 2020-7-21 17:26:12 | 显示全部楼层
想问一下楼主是怎么解决的,和通孔有关系是吗?
发表于 2020-8-5 13:42:08 | 显示全部楼层
看他回复是孔用错了吧,用了via连poly和m1
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