关于迁移率的问题！~

5kyuzhibo · 发表于 2016-4-4 18:49:46

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在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。

1.如传统的N MOS 器件我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度，这样以来算电子和空穴用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的，所以电子和空穴的有效质量不同就在于与电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？

2.我们平常用的mos器件实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
同等参杂浓度的衬底，一个是p型我们用其中的少子电子导电
一个是n型，我们就用其中的多子电子导电

直观上看，后者电流应该大

但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高怎么计算？？

求助大神！~

pheobuspp · 发表于 2016-4-6 10:22:23

多子导电就是电阻特性了，另外反型的表面电子迁移率不能这么算吧

圆外一点 · 发表于 2016-6-5 23:11:24

想不起来了 mark

kshuang1 · 发表于 2016-6-24 03:59:11

了解，谢谢楼主！！

bubu60620 · 发表于 2016-8-28 11:23:44

兩年前還會
看來我也要回去多翻翻課本了

飞吗明明明明 · 发表于 2016-9-26 19:04:45

支持一下

YangFanIC · 发表于 2016-11-3 08:44:34

迁移率这个我确实没咋研究过

踏雪寻梅是 · 发表于 2016-11-18 10:16:37

1.如传统的N MOS 器件我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度，这样以来算电子和空穴用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的，所以电子和空穴的有效质量不同就在于与电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？
楼主你的问题有点乱啊，前面说的好好的t与散射有个，又冒出个有效质量和杂质散射有关。实际上你要理解了该公式的t的意义，就明白了，t实际上式散射几率的倒数，从这个意义说只要影响散射的因素都影响t，比如位错。关于有效质量，有效质量其实也是电子在晶体场中的惯性的一种度量，只不过有效质量包括了晶格场本身对其影响，这能解释为什么电子运动时加速度与外场方向不一致，从这个角度来看电离杂质的或者晶格散射改变是晶格本身场改变会影响有效质量，在某些情况下确实是主要因素。实际上，有效质量是从能带的角度来计算得，这时电离杂质散射等效于影响能带，

lagntwq · 发表于 2017-2-7 13:27:35

感觉好凌乱

johnny157157 · 发表于 2018-1-12 18:44:50

很好的资料哦谢谢楼主啦

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