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[求助] latchup问题&ESD问题

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发表于 2015-11-20 13:41:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问一下,ESDNMOS的NBL floating,据说会对LATCH UP不好,想问一下为什么
还有就是POWER/GND直接打ESD fail時,POMS和NMOS如何導通燒掉的,原理詳細解釋


1120.jpg
发表于 2015-11-27 10:41:15 | 显示全部楼层
NBL是NMOS的的body pickup么?若是 floating的话 会导致NMOS的bulck resistance偏大,如此其寄生的NPN易导通,容易诱发latch up。
power gnd出现esd stress时,主要的failure机制应该是p n junction filamentation。
发表于 2016-1-5 01:22:41 | 显示全部楼层
latch_up .pdf (131 KB, 下载次数: 782 )
发表于 2016-1-26 13:41:56 | 显示全部楼层
謝謝分享
发表于 2016-2-14 14:40:29 | 显示全部楼层
謝謝分享
发表于 2016-3-2 10:11:26 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2016-3-9 17:15:52 | 显示全部楼层
看看这个

eetop.cn_latch up闩锁效应.pdf

564.89 KB, 下载次数: 477 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2016-6-26 10:10:08 | 显示全部楼层
THANK YOU
发表于 2016-10-29 15:26:22 | 显示全部楼层
谢谢分享。
发表于 2016-10-29 22:49:46 | 显示全部楼层
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