台积电18吋晶圆2018量产

even_ryen

台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）今（5）日开幕，18吋晶圆成为市场焦点，台积电营运副总经理王建光昨（4）日出席半导体展前记者会时表示，台积电已做好导入18吋晶圆规划，预计2018年量产，届时导入的技术将以10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程为主。

　共同出席的台积电研发副总林本坚则指出，台积电20奈米已快量产，16奈米FinFET制程开发依计划进行，接下来的10奈米FinFET制程希望可以导入新一代的微影技术，除了极紫外光（EUV）方案外，多重电子束（Multi E-Beam）仍是台积电的选项之一。

　包括英特尔、台积电、三星、IBM、格罗方德（GlobalFoundries）等全球5大半导体厂，今年初已决定共组全球18吋晶圆联盟（G450C），王建光表示，今年是推动18吋晶圆元年，也是令半导体业者感到兴奋的一年，G450C结合了全球半导体大厂的资源，将以最经济也最有效率的方式，为18吋晶圆制定出新的标准，期望未来18吋晶圆导入量产后能「一枪中的」。

　对台积电来说，跨入18吋晶圆仍需要时间。王建光表示，2014～2015年时应可完成设备规格制定，预计2015年初，设备商就能提供测试设备（demo tools），而2016～2017年将开始建立试产生产线（pilot line），并建立起上下游的供应链，若一切顺利，台积电在2018年就能够以18吋晶圆投入量产。

　在微影技术部份，台积电日前已决定加入微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）的「客户联合投资专案」，总投资金额高达11.14亿欧元（约新台币407亿元），包括取得ASML的5％股权，并加入极紫外光（EUV）及18吋晶圆设备的研发计画。

　林本坚表示，台积电的技术蓝图有些变动，28奈米之后的20奈米已经接近量产，再接下去的16奈米，将是台积电首度导入3D架构的FinFET电晶体制程，再进行微缩后就是10奈米FinFET。

　林本坚表示，由于EUV技术尚未成熟，16奈米及10奈米仍然会用到浸润式（immersion）的微影技术，10奈米以及之后的7奈米，则会导入新一代的微影技术，目前除了EUV之外，多重电子束也是考量的方向。

                               
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台积电晶圆尺寸进程

andy2000a

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尬英特爾 台積提前蓋18吋廠
   
台積電原訂18吋廠將以10奈米製程切入，鎖定蘋果等行動裝置晶片訂單，2016年開始建廠。
消息人士透露，台積電正同步啟動中科與南科18吋廠土地取得計畫，希望將建廠時間提前至2015年，與英特爾分庭抗禮，在10奈米技術拔得頭籌。
中科管理局官員證實，台積電中科15廠擴建案，中科管理局將原隸屬軍方位於大肚山中科管理局將開發大肚山彈藥分庫用地約53.08公頃納編，供台積電設廠，將作為18吋廠預定地。相關擴建計畫已通過環評初審，即將進入最後環評實質審查。
南科管理局官員也證實，台積電已口頭提出要求，希望南科管理局能保留台積電南科14廠P5至P7期用地對外的38公頃土地給台積電，將列入南科14廠的第八到九期擴建用地，同樣也是為了18吋廠預作準備。

=> umc   
or GloablFoundary ???