关于dummy的问题，保持多晶硅蚀刻速率一致是什么意思？

andyhunter · 发表于 2012-4-26 09:24:35

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请教各位，最近看一份资料，里面提到加dummy可以保持多晶硅蚀刻速率一致。
百思不得其解，为什么加了dummy就一致了呢？请各位大能指点。
未命名.jpg

enjoy545352 · 发表于 2012-4-26 11:09:23

本帖最后由 enjoy545352 于 2012-4-26 11:13 编辑

这里所说的一致是指M1和M3外侧的多晶硅刻蚀速率与其内侧以及M2多晶硅的两侧相等。因为多晶硅的刻蚀速率与多晶硅的开口大小有关，如果不加dummy那么M1和M3外侧的多晶硅裸露在外，刻蚀速率会很快，而里面的多晶硅由于开口相对较小，会稍微慢些，这样就造成了最后刻蚀出来的多晶硅宽度，即晶体管长度不一致，M2会比M1和M3的稍微大点。导致了一定程度的失配。

andyhunter · 发表于 2012-4-26 11:30:16

回复 2# enjoy545352

多谢指点
不过还是有点迷糊，“开口”是说外侧的多晶接触到的刻蚀液体比较多么？

enjoy545352 · 发表于 2012-4-26 11:54:12

不是，开口是指除了多晶硅的区域，就是多晶硅的间隙或者是多晶硅以外的地方。

andyhunter · 发表于 2012-4-26 12:34:17

回复 4# enjoy545352

明白了，多谢指点。

liuyi1010101010 · 发表于 2012-4-28 20:24:44

也受教了，，

fengwenfeng · 发表于 2012-5-28 22:56:55

学习了

寻觅冷清 · 发表于 2012-6-5 09:30:08

受教了！

zgh1100 · 发表于 2012-6-5 10:47:18

学习了，呵呵

weihoude1990 · 发表于 2012-12-27 23:07:06

学习学习，明白了！！

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