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[求助] 金属走线问题求教

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发表于 2011-8-16 20:45:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看到西交大的ppt说金属线不能通过有源区,但可以通过电阻。可是看到版图艺术图8.15A  stretched-collector transistor上面是可以走线的。不知道这里有什么区别吗?
而且在外延上走线和与在PBASE上走线又有什么区别呢?
发表于 2011-8-17 09:29:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 guozhuoqi 于 2011-8-17 09:33 编辑

一種是不通過源區的佈線,另一種是可以在源區上佈線,後一種肯定節省面積.至於用哪一種可能要看電路具體要求.一般M1不從POLY上通過。
发表于 2011-8-17 11:39:16 | 显示全部楼层
金属走线不建议通过要求匹配比较严格的Mos管和电阻,为节省面积可以考虑通过不要求匹配的mos和电阻,一般不会有太大问题。工艺尺寸越小,越不建议金属通过MOS的poly,特别是底层的M1,M2。
原因是应力会造成一定程度的不匹配。
发表于 2011-8-18 12:31:30 | 显示全部楼层
metal 是否跨国poly 主要看您是否在意metal与poly之间的cap。尤其是metal 走线为clock时,更要留意。
 楼主| 发表于 2011-8-19 15:21:57 | 显示全部楼层
谢谢大家。那么在BIPOLAR工艺中,金属走线通过NPN的BASE和外延有什么需要注意的吗?最近做的一颗从2.5V PAD来的信号线通过了这个PAD旁边的NPN的外延,发现有些芯片的这个NPN管子烧了!
发表于 2011-8-20 18:11:43 | 显示全部楼层
都很厉害,学习了
发表于 2011-8-23 13:23:54 | 显示全部楼层
luguoluguo
发表于 2011-8-23 15:02:21 | 显示全部楼层
xuexi le a
发表于 2011-8-23 23:38:47 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2011-8-27 11:50:14 | 显示全部楼层
回复 1# rengd02


    metal跨线可能会导致几个问题吧:
1. 寄生电容。
2. 有高压的话 可能会导致场开启(parasitic channel)
3. 老工艺里 因为平坦化不好, 所以metal走线有严格要求,不能垮台阶。
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