求解：ASMC 15VNMOS做NDD区域的作用

dqyang · 发表于 2011-7-28 14:55:58

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如题，为什么Pmos不用做特定区域，还有为什么低压的mos不用做channel stopper？
新手，求各位大侠能详细解答，不胜感激！

jian1712 · 发表于 2011-7-30 21:26:47

1,关于NDD
NDD是N type drift drain, 是N型漂移区，这一层在这个工艺中做在HV device上面，它是用来增大NMOS drain端的耐压，所以浓度比N+要低，结深比N+深， breakdown电压比N+高
2,不知道你所指的Pmos是HV还是LV，但是HV pmos应该会做一些特殊处理的
3,个人感觉channel stopper implant有改变Vt和增强防punchthrough的作用，所以低压mos没有做，也不是很奇怪，因为自然形成的mos能够满足spec要求，加了channel stopper有可能让低压mos的参数变差

拙见而已，欢迎指正。