求助各位！关于SDRAM的若干问题

llxmars

各位，小弟在读SDRAM的资料时，有几个问题，希望有人能抽出点宝贵时间帮下忙，我悬赏80信元（最高）

1.当SDRAM上电初始化后-->行有效指令（选Bank地址）-->读/写指令(选Bank地址)，为什么行有效已经选好了Bank地址，读/写指令还要选一次Bank地址？如果读/写指令下的Bank地址和行有效时的Bank地址不同会怎么样？

2.好像所有的（4个）bank都有一行工作行对吧？那么上电初始化对每个bank进行了预充电（precharge）后，是不是每个bank都有默认的一行是活动的，还是说一定要执行行有效指令后（比如m行），该bank的m行才是活动的？我看到手册中这样一幅图：

                               
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它说：每个READ指令都可以指定任意的bank，也就是说我可以读完bank0再去读bank1，不需要再去预充电--->行有效（对另外的bank），这是为什么呢？

3.在读/写完之后要预充电，什么情况下对单个bank预充电，什么情况下对所有bank预充电?


为了说明我的问题，我把我自己的解释也放在这里：
  在上电初始化后，4个bank都是不活动的，这时，如果对某一个bank（设bank0，第3行）执行行有效指令后，bank0变成活动的（active，而且一直活动，即便后面读其他bank，bank0也是活动的），第3行现在是bank0的工作行。但是此时其他的bank仍然是不活动的，如果在读bank0的时候，我又想去读bank1的第四行了（就像上图那样），是不行的，因为bank1还是不活动的，我要先对bank1行有效后（第四行），才能像上图那样去随机读。也就是说，第一次必须将4个bank都进行行有效后，4个bank都处于活动状态，且都有一个工作行（4个工作行是可以不同的），那么这时在读/写指令时，我就可以按照时序要求任意读写任意的bank（行不变），只有当我要改变行时，才执行行有效指令。

希望有人能纠正我，越详细越好，先谢谢了

jacky.sun

首先回答你第一个问题：一般一个SDRAM芯片有4个bank，每个bank都只有一个行处于active状态，所以行有效选择的Bank地址是打开某个bank下的某一行；最多情况下一个SDRAM芯片有4个行处于打开状态，他们处于不同的bank中，所以读写操作下的bank地址是选择这四个bank行中的一个。所以“行有效已经选择的Bank地址”和“读/写指令选择的Bank地址”可以不一样，一个是打开4个中的一个行，一个是选择4个中的一个行，是两回事。

第二个问题：不是每个bank都有一个行处于打开状态，是要通过active命令打开某个bank的某一行才行。时序图中，每个read是可以访问不同的bank，前提是访问的bank中有某一行是处于打开状态。他们访问的不同bank中的某一行所以不需要进行预充电命令（percharge）。

第三个问题：在SDRAM上电初始化时，会有一次对所有bank的预充电（percharge），初始化完成后应该不会用；在同一个bank中要访问不同的行，在访问不同的行之前要将原先打开的行关闭，所以对这个bank单独的进行预充电（percharge）