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各位设计高手,
小弟最近使用 UMC 90nm CMOS 工艺进行电路设计,版图基本上已经完成,但是最后一步的时候遇到了麻烦,DRC 检测的时候, 总是说电容还有PAD与金属线连接有问题。 "All Cu-Metal layers METAL_m (which are not the UM (upper metal) layer) are also recommended to avoid touching MIMBP (bottom plate of MIM Capacitor)". PAD 连接的时候也有这个问题。但是在UMC0.18um的工艺中,就没有这个问题,那个电容版图模型就做的比较好。我觉得主要是UMC90nm的版图把电容包得太严实了。有很多层的metal "dum", 也不清楚这个到底是干什么用的。 同时LVS没有问题,但是提取寄生参数的时候却失败了,我觉得可能是由于DRC的问题导致提取寄生参数失败。
希望高手们多多指教,不胜感激啊。 |
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