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有奖下载(1~2月):亚纳秒器件表征技术主题演讲PPT

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发表于 2018-1-19 15:47:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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处理器越来越快,MOSFETHold不住了!


自从德州仪器工程师Jack S. Kilby1958年发表了全球首款集成电路以来,科技产业就开进了发展的的快车道,大型机、PC、笔记本和手机等设备先后面世,各种电子终端也纷纷亮相,人类生活也在这些设备的影响下发生了翻天覆地的变化。但无论是终端的开发者还是上游的芯片供应商,对未来的期待并不止于此。


在过去的几十年内,他们相互相成、相互促进,推动整个电子产业自上如下的进步,尤其是上游的芯片产业,在摩尔定律的指导下,他们的时钟频率有了指数级的增长。以Intel为例,他们1971年推出的第一款处理器4004的主频只有108KHZ,但他们最近推出的第八代处理器主频已经提高到4.2GHz,这样的提升给终端带来太多的想象空间,但也给相关厂商带来更大的挑战。


                              


随着处理器频率的提高,过往的硅原料和制造工艺已经不能满足设计需求了,相关厂商只能探索新的材料和制造方式。例如FinFET和高K特性的栅极绝缘层的引入,就是为了解决这样的问题的。对测试厂商来说,任务也变得更加艰巨了:


例如,现在MOSFET的栅极越来越薄,使用的材料也发生变化,那就引入了许多新的效应,比如热电子注入和表面阱等等,因此如何测试MOSFET中的这些瞬时效应就成为测试厂商和芯片厂商关注的问题。


现在标准的MOSFET测试方案都是使用直流电或者慢速波形,而常见的MOSFET高速电路都跑在1GHz以上,因此传统测试方案无法测试到高速电路中的许多重要瞬态效应。为了解决这问题,使用上升时间小于1ns的快速波形的高速测试(characterization)方案就很有必要了,因为这样就能提取到这些重要参数,进行下一步的分析。


针对这个问题,浙江大学微电子学院的赵毅教授作了一个名为《亚纳秒器件表征技术》的主题演讲,为相关人士提供解决这个问题的方法,欢迎大家下载阅览。

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奖励:
1. 注册下载后回帖奖励300信元
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(包含众多大咖演讲课题内容及深入阅读文章)



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发表于 2018-1-20 10:39:31 | 显示全部楼层
非常不错的技术前沿研究资料,已经下载。
发表于 2018-1-20 11:43:39 | 显示全部楼层
非常好的资料,支持
发表于 2018-1-20 15:29:31 | 显示全部楼层
和专业有点关系,下来看看,谢谢
发表于 2018-1-20 23:22:22 | 显示全部楼层
好资料 已下载
发表于 2018-1-21 16:02:52 | 显示全部楼层
已经下载 谢谢~
发表于 2018-1-22 09:35:10 | 显示全部楼层
已下载,谢谢!!
发表于 2018-1-22 13:26:29 | 显示全部楼层
已下载,好资料
发表于 2018-1-22 17:15:39 | 显示全部楼层
已下载
发表于 2018-1-22 18:56:30 | 显示全部楼层
已下载,谢谢分享!
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